发明授权
CN102362171B 测量单晶的缺陷密度的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 测量单晶的缺陷密度的方法
- 专利标题（英）： Method of measuring defect density of single crystal
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申请号： CN201080012974.1申请日： 2010-03-10
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公开(公告)号： CN102362171B公开(公告)日： 2013-09-25
- 发明人: 新谷良智 , 北川克一
- 申请人： 丰田自动车株式会社
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 丰田自动车株式会社
- 当前专利权人： 丰田自动车株式会社
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 顾晋伟; 王春伟
- 优先权： 2009-072340 2009.03.24 JP
- 国际申请： PCT/IB2010/000498 2010.03.10
- 国际公布： WO2010/109285 EN 2010.09.30
- 进入国家日期： 2011-09-20
- 主分类号： G01N21/95
- IPC分类号： G01N21/95 ; G01N21/896
摘要：
一种测量存在于单晶中的各种类型缺陷的多个缺陷的密度的方法，包括：蚀刻作为单晶表面的观察表面，以在各缺陷处形成蚀刻凹陷；计算在观察表面上预定区域内存在的多个缺陷处形成的各蚀刻凹陷的最大深度、平均深度和深度曲率；和将测量的最大深度、平均深度和深度曲率与参考值比较，以确定预定区域内部各缺陷的类型。
公开/授权文献
- CN102362171B9 测量单晶的缺陷密度的方法 公开/授权日：2014-03-26
