本发明涉及场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法。提出了一种场效应气体传感器（100，200，250，300，400，500，600，1020），其具有对于至少一种预先确定的气体可透过的多孔电极层（110，310，410，510，610）。此外，该场效应气体传感器包括至少一个与电极层邻接的介电体层（120、210、220、230、240、320、430、520、540、620、660），所述介电体层具有不同于SiO2的材料。最后，该场效应气体传感器包括由金属或半导体材料构成的后部电极（150，330，420，440，530，640），其中后部电极在与电极层对置的那侧上与所述介电体层邻接。