本发明提供半导体元件的形成方法，首先形成开口于基板上，开口在靠近基板表面的部分具有第一宽度，在远离基板表面的部分具有第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。接着将导电材料填入开口中以形成金属栅极。至此形成的半导体元件，其金属栅极结构具有不同的第一宽度与第二宽度。本发明的金属栅极形成于具有修饰形状的开口中，使得金属可更适当地填入开口中。由于开口和/或最终的栅极结构具有修饰后的形状，因此有可降低开口的深宽比、增加阶梯覆盖率、降低金属填充时凸出开口的程度、减少孔洞、增加工艺容忍度、降低栅极电阻、和/或其他可能的好处。