公开(公告)号：CN102737976B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210020206.1

申请日：2012-01-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄玉莲 ,  林家彬 ,  王胜雄 ,  徐帆毅 ,  戴郡良

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明所公开的方法和结构的实施例提供了通过掺杂剂实施掺杂围绕栅极结构的层间电介质膜ILD0，从而针对替换栅极技术在去除伪栅电极层和/或栅极介电层的工艺期间降低其蚀刻速率。ILD0膜可以掺杂等离子体掺杂工艺(PLAD)或者离子束工艺。掺杂后退火是可选的。

公开(公告)号：CN101740518B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200910226221.X

申请日：2009-11-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  古淑瑗 ,  欧阳晖

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/32134 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66583

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀刻期间旋转的随后旋转速率，并且随后旋转速率不超出先前循环的旋转速率。

公开(公告)号：CN102044423A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010501915.2

申请日：2010-09-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  黄益成 ,  徐帆毅 ,  欧阳晖

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/2822 ,  H01L29/51 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： 一种栅极结构的制造方法，包括：于一基板上依序沉积与图案化一假氧化物层与一假栅极电极层；使一含氮介电层与一层间介电层环绕该假氧化物层与该假栅极电极层；移除该假栅极电极层；于一第一温度下，暴露该假氧化物层的一表面于含氨气与含氟化合物的一气态混合物中，以移除该假氧化物层；加热该基板至高于该第一温度的一第二温度，以于该含氮介电层内形成一开口；沉积一栅极介电物；以及沉积一栅极电极。本发明的栅极结构可蚀刻借由干化学可具有没有凹口于层间介电层内或基底内。

公开(公告)号：CN101740518A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226221.X

申请日：2009-11-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  古淑瑗 ,  欧阳晖

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/32134 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66583

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀刻期间旋转的随后旋转速率，并且随后旋转速率不超出先前循环的旋转速率。

公开(公告)号：CN105789274A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410803489.6

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林志雄 ,  张嘉德 ,  徐帆毅 ,  许秉诚

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： 本发明提供了半导体结构，该半导体结构包括具有表面的半导体层和位于半导体层的表面上方的限定金属栅极的层间电介质(ILD)。该金属栅极包括高k介电层、覆盖层和功函金属层。远离覆盖层的拐角的覆盖层侧壁的厚度基本上薄于覆盖层底部的中心周围的厚度。本发明提供了制造半导体结构的方法。该方法包括：形成金属栅极凹槽，形成高k介电层，形成第一覆盖层，在第一覆盖层上形成第二覆盖层，去除或减薄第一覆盖层侧壁，以及去除第二覆盖层。

公开(公告)号：CN102386082B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110187893.1

申请日：2011-06-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李达元 ,  许光源 ,  叶明熙 ,  黄益成 ,  徐帆毅 ,  欧阳晖 ,  黄明杰 ,  廖士贤

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6656

摘要： 本发明提供半导体元件的形成方法，首先形成开口于基板上，开口在靠近基板表面的部分具有第一宽度，在远离基板表面的部分具有第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。接着将导电材料填入开口中以形成金属栅极。至此形成的半导体元件，其金属栅极结构具有不同的第一宽度与第二宽度。本发明的金属栅极形成于具有修饰形状的开口中，使得金属可更适当地填入开口中。由于开口和/或最终的栅极结构具有修饰后的形状，因此有可降低开口的深宽比、增加阶梯覆盖率、降低金属填充时凸出开口的程度、减少孔洞、增加工艺容忍度、降低栅极电阻、和/或其他可能的好处。

公开(公告)号：CN102903742A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210026682.4

申请日：2012-02-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯承浩 ,  林秉顺 ,  李达元 ,  于雄飞 ,  周群渊 ,  徐帆毅 ,  陈建豪 ,  许光源

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至凹部内，其中第二宽度与第一宽度的比值为约5至10。本发明还提供了一种场效应晶体管的金属栅电极。

公开(公告)号：CN102214564B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010280598.6

申请日：2010-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  欧阳晖 ,  杨棋铭

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明公开了一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法。首先，提供复晶硅闸极电极层于基材上。在一实施例中，对前述复晶硅闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至复晶硅闸极电极层内，并于复晶硅闸极电极层内形成一电性中和区。然后，形成限定厚度的硬罩幕层于经处理的复晶硅闸极电极层上。在图案化硬罩幕层以及经处理的复晶硅闸极电极层以形成闸极结构后，对基材进行倾斜角离子植入步骤。

公开(公告)号：CN102214564A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010280598.6

申请日：2010-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  欧阳晖 ,  杨棋铭

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明公开了一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法。首先，提供复晶硅闸极电极层于基材上。在一实施例中，对前述复晶硅闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至复晶硅闸极电极层内，并于复晶硅闸极电极层内形成一电性中和区。然后，形成限定厚度的硬罩幕层于经处理的复晶硅闸极电极层上。在图案化硬罩幕层以及经处理的复晶硅闸极电极层以形成闸极结构后，对基材进行倾斜角离子植入步骤。

公开(公告)号：CN105789274B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410803489.6

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林志雄 ,  张嘉德 ,  徐帆毅 ,  许秉诚

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： 本发明提供了半导体结构，该半导体结构包括具有表面的半导体层和位于半导体层的表面上方的限定金属栅极的层间电介质(ILD)。该金属栅极包括高k介电层、覆盖层和功函金属层。远离覆盖层的拐角的覆盖层侧壁的厚度基本上薄于覆盖层底部的中心周围的厚度。本发明提供了制造半导体结构的方法。该方法包括：形成金属栅极凹槽，形成高k介电层，形成第一覆盖层，在第一覆盖层上形成第二覆盖层，去除或减薄第一覆盖层侧壁，以及去除第二覆盖层。