发明授权
CN102403324B 半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件
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申请号： CN201110251738.1申请日： 2011-08-29
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公开(公告)号： CN102403324B公开(公告)日： 2015-10-28
- 发明人: 白野贵士 , 谷田一真 , 山口直子 , 本乡悟史 , 松村刚
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈萍
- 优先权： 208067/2010 2010.09.16 JP
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，间隔着粘接层，将第1基板和第2基板贴合。
公开/授权文献
- CN102403324A 半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件 公开/授权日：2012-04-04
IPC分类:
