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公开(公告)号：CN103000642A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210068481.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 公开一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括：装置基板；和支持基板。支持基板，在上述装置基板上接合。上述装置基板，在与上述支持基板的接合面侧的外周部具有第1沟槽。
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公开(公告)号：CN102651379B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210043827.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
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公开(公告)号：CN104269420A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410527757.6
申请日：2011-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/1464 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，经由粘接层，将第1基板和第2基板贴合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610492A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210018300.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/02 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67092 , H01L21/6838 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供半导体制造装置及半导体基板接合方法。根据实施例的半导体制造装置，具备：第1部件，保持第1半导体基板；第2部件，保持第2半导体基板，使接合面与第1半导体基板的接合面相对向；距离检测单元，检测第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；调节单元，调节第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；第3部件，在第1半导体基板和第2半导体基板之间形成接合开始点。
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公开(公告)号：CN102403324A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110251738.1
申请日：2011-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/1464 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，间隔着粘接层，将第1基板和第2基板贴合。
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公开(公告)号：CN102403324B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201110251738.1
申请日：2011-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/1464 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，间隔着粘接层，将第1基板和第2基板贴合。
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公开(公告)号：CN102651379A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043827.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
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公开(公告)号：CN102280461A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110153488.8
申请日：2011-06-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14618 , H01L27/14687 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，根据实施方式，具备：半导体基板；活性层，形成在上述半导体基板的一个面上；布线层，形成在上述活性层上，在不与上述活性层接触的面侧具有形成为凸部的布线；绝缘层，形成在上述布线层上，以使该绝缘层具有凹部；埋层，设在上述绝缘层的凹部上；接合层，设在上述绝缘层及上述埋层上；和基板，与上述接合层接合，以使该基板对置于上述半导体基板的上述一个面。
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