发明授权
- 专利标题: 等离子体处理装置与方法
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申请号: CN201080019703.9申请日: 2010-04-01
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公开(公告)号: CN102422722B公开(公告)日: 2014-10-08
- 发明人: 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 克里斯多夫·J·里维特 , 伯纳德·G·琳赛
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明
- 优先权: 12/418,120 2009.04.03 US
- 国际申请: PCT/US2010/029559 2010.04.01
- 国际公布: WO2010/114961 EN 2010.10.07
- 进入国家日期: 2011-11-03
- 主分类号: H05H1/24
- IPC分类号: H05H1/24 ; H05H1/34 ; H01L21/265 ; H01L21/3065 ; H01L21/205
摘要:
一种等离子体处理装置包含:处理腔室;压板,其定位于所述处理腔室中,用于支撑工件;源,其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体,所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘;以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状,使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。
公开/授权文献
- CN102422722A 等离子体处理装置 公开/授权日:2012-04-18
IPC分类: