- 专利标题: 降低固定研磨粒化学机械研磨设备的记忆效应的方法
- 专利标题(英): Method for reducing memory effect of chemical mechanical grinding equipment of fixed abrasive particles
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申请号: CN201010524968.6申请日: 2010-10-29
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公开(公告)号: CN102452040B公开(公告)日: 2014-05-14
- 发明人: 陈枫
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京市磐华律师事务所
- 代理商 董巍; 谢栒
- 主分类号: B24B37/04
- IPC分类号: B24B37/04 ; B24B37/005 ; H01L21/02 ; H01L21/00
摘要:
本发明涉及降低固定研磨粒化学机械研磨设备的记忆效应的方法,所述方法包括以下步骤:a)收集下一待研磨晶片之前n个已研磨晶片的预定待研磨台阶高度Hn和实际研磨时间Tn,以及修正系数H0和转换系数k;并分别计算得出已研磨晶片的平均预定待研磨台阶高度H和平均研磨时间T;b)根据下列计算模型计算研磨垫针对下一待研磨晶片的目标步进长度IR:IR=k·T(H0+H)/103。本发明的方法避免了由于研磨垫上研磨粒不足而导致对下一待研磨晶片的研磨不充分或者由于研磨粒过量而导致研磨过度及浪费的情况,从而降低了固定研磨粒化学机械研磨的记忆效应,提高了研磨速率及晶片厚度的晶片对晶片一致性。
公开/授权文献
- CN102452040A 降低固定研磨粒化学机械研磨设备的记忆效应的方法 公开/授权日:2012-05-16