-
公开(公告)号：CN102371525B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010266066.7
申请日：2010-08-19
IPC分类号： B24B29/02
摘要： 一种抛光装置，所述抛光装置包括：传动机构、抛光机构、清洗机构和蚀刻机构，所述传动机构配置为将晶圆在所述抛光机构、清洗机构和蚀刻机构之间进行传递；所述抛光机构，对所述传动机构传递的晶圆进行抛光处理，所述进行抛光处理的晶圆上形成有待抛光部分和待蚀刻部分；所述清洗机构，对经过所述抛光机构抛光处理后的晶圆进行清洗处理；所述蚀刻机构，对经过所述清洗机构清洗处理后的晶圆直接进行蚀刻。本发明能够减少工艺步骤、节省消耗，由此提高生产能力、降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN102452040B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010524968.6
申请日：2010-10-29
发明人： 陈枫
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/005 , H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 本发明涉及降低固定研磨粒化学机械研磨设备的记忆效应的方法，所述方法包括以下步骤：a）收集下一待研磨晶片之前n个已研磨晶片的预定待研磨台阶高度Hn和实际研磨时间Tn，以及修正系数H0和转换系数k；并分别计算得出已研磨晶片的平均预定待研磨台阶高度H和平均研磨时间T；b）根据下列计算模型计算研磨垫针对下一待研磨晶片的目标步进长度IR：IR=k·T（H0+H）/103。本发明的方法避免了由于研磨垫上研磨粒不足而导致对下一待研磨晶片的研磨不充分或者由于研磨粒过量而导致研磨过度及浪费的情况，从而降低了固定研磨粒化学机械研磨的记忆效应，提高了研磨速率及晶片厚度的晶片对晶片一致性。
-
公开(公告)号：CN102553849B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201010613438.9
申请日：2010-12-29
发明人： 陈枫
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/245
摘要： 本发明提供一种固定研磨粒抛光垫清洗装置，包括：清洗装置主体；清洗液进液口，位于装置主体末端；与清洗液进液口连通的清洗液喷射口，位于清洗装置工作面，还包括清洗液排出口，位于装置主体末端；及与清洗液排出口连通的清洗液回收口，位于清洗装置工作面。还提供一种使用该固定研磨粒抛光垫清洗装置对抛光垫进行清洗的方法。本发明所提供方案可及时对抛光垫表面的微粒子加工副产品进行去除，有效地避免对待加工晶圆工件表面的划伤问题，提高加工的良品率与生产效率。
-
公开(公告)号：CN103624673B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210299234.1
申请日：2012-08-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 陈枫
IPC分类号： H01L21/304 , B23B37/02 , B24B37/34 , B24B37/013
摘要： 一种化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法，其中，化学机械抛光装置包括：基座；固定于基座表面的研磨垫，研磨垫内具有检测窗，检测窗表面与研磨垫表面齐平，检测窗为透光材料；位于基座内的光头，光头位于检测窗下方，且光头与检测窗之间为空腔；固定于基座内的位置调节装置，位置调节装置与光头连接；位于研磨垫上方的检测装置，检测装置位于研磨垫上方，检测装置到研磨垫中心的水平距离、与第一检测装置到研磨垫中心的水平距离一致；分别与位置调节装置和第一检测装置连接的控制器，控制器根据检测装置检测的研磨垫减薄的厚度，控制光头下降相同距离。所述化学机械抛光装置光学终点检测精确。
-
公开(公告)号：CN102950536B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110252696.3
申请日：2011-08-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 陈枫
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , H01L21/304
摘要： 一种化学机械研磨装置，包括：研磨盘；位于所述研磨盘上用于对晶圆待研磨表面进行研磨的研磨垫以及在研磨时用于夹持所述晶圆的研磨头；还包括位于所述研磨盘外侧并环绕所述研磨盘的高度可调的控制圈，所述控制圈用于在研磨时，在所述研磨垫之上和控制圈内保留一定量的研磨液。使用这种化学机械研磨装置进行研磨，提高化学机械研磨研磨液利用率，降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN102689265B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201110068908.2
申请日：2011-03-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/02 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/3212 , H01L21/02074 , H01L21/7684
摘要： 一种化学机械抛光的方法，包括：提供抛光层；采用碱性的研磨浆料研磨所述抛光层；采用酸性的缓冲剂去除研磨后形成在所述抛光层表面的残留物层；在去除所述残留物层之后，形成覆盖所述抛光层的钝化层。本发明实施例的化学机械抛光的方法，抛光层表面的平整度高，半导体器件的成品率高，长期稳定性好。
-
公开(公告)号：CN102637586B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201110036744.5
申请日：2011-02-12
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/311
摘要： 一种半导体制造领域的金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅结构；在所述半导体衬底和所述伪栅结构上形成层间介质层；研磨所述层间介质层至露出所述伪栅结构的上表面，所述伪栅结构的上表面形成自然氧化层；采用化学气相刻蚀工艺去除所述自然氧化层。本发明在去除自然氧化层时，减小了对层间介质层凹陷的影响，大大降低了层间介质层中产生金属桥连和金属残留的可能性，提高了半导体器件的电性能和可靠性。
-
公开(公告)号：CN104008967A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310057964.5
申请日：2013-02-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/28035
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供包括浅沟槽隔离和鳍片的半导体衬底；步骤S102：在所述半导体衬底上形成栅极绝缘层；步骤S103：在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤S104：在所述多晶硅层的内部形成停止层；步骤S105：对所述多晶硅层进行CMP，去除所述多晶硅层位于所述停止层上方的部分；步骤S106：对所述停止层进行CMP，去除所述停止层。该方法通过在多晶硅层内部形成停止层，使得可以利用光学端点控制的方法对多晶硅层进行CMP，因而可以很好地控制经过CMP处理后保留的多晶硅层的厚度和均一性。
-
公开(公告)号：CN103117246A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110366071.X
申请日：2011-11-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 陈枫
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种金属互连结构的制作方法，包括：在形成有半导体元件的半导体衬底上形成相互分离的多晶硅柱，多晶硅柱在半导体衬底上非均匀排布；在形成有多晶硅柱的半导体衬底上淀积层间介质层，对层间介质层进行抛光直至多晶硅柱的表面露出；去除多晶硅柱，以形成与半导体元件相连通的孔；在形成有孔的半导体衬底上淀积金属层，以填充孔；对金属层进行抛光直至层间介质层的表面露出，以形成金属互连结构中的导电柱塞。由上述制作方法获得的金属互连结构中导电柱塞的高度较为一致，使金属互连结构的表面电阻较为一致，使整个半导体集成电路的电学性能提高。
-
公开(公告)号：CN103117214A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110366101.7
申请日：2011-11-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 陈枫
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 本发明提供一种具有金属栅极叠层的半导体器件的制作方法，其包括：在半导体衬底上形成顶部高于半导体衬底表面的浅沟槽隔离结构后，在半导体衬底上形成一填充层并去除超出浅沟槽隔离结构顶部的填充层，通过控制去除所述填充层时的工艺精度可使浅沟槽隔离结构之间的填充层表面与浅沟槽隔离结构的顶部位于同一高度，使后续制作过程中浅沟槽隔离结构上的多晶硅虚拟栅极顶部与相邻两个浅沟槽隔离结构之间的多晶硅虚拟栅极顶部位于同一高度，从而避免了现有制作方法中由于多晶硅虚拟栅极顶部不位于同一高度而导致的一系列问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
88 条记录 (耗时 0.106 秒)
