发明授权
- 专利标题： 法拉第屏蔽及等离子体加工设备
- 专利标题（英）： Faraday shield and plasma processing equipment
-
申请号： CN201010622211.0申请日： 2010-12-27
-
公开(公告)号： CN102543636B公开(公告)日： 2015-04-15
- 发明人: 王一帆 , 武晔 , 吕铀
- 申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层
- 专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 当前专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 张天舒; 陈源
- 主分类号： H01J37/09
- IPC分类号： H01J37/09 ; H01J37/32
摘要：
本发明提供一种法拉第屏蔽及等离子体加工设备，所述法拉第屏蔽包括至少两个并排设置的屏蔽单元，每个所述屏蔽单元包括多个间隔排列设置的屏蔽段，且相邻两屏蔽单元所包括的屏蔽段交错设置，所述屏蔽段均设置有朝向相对应交错设置的屏蔽段的阻挡部，且相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间构成屏蔽通道。本发明的法拉第屏蔽可以减少、甚至完全避免等离子体穿过法拉第屏蔽。
公开/授权文献
- CN102543636A 法拉第屏蔽及等离子体加工设备 公开/授权日：2012-07-04
