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公开(公告)号：CN104425201B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310388807.2
申请日：2013-08-30
CPC分类号： H01J37/32183
摘要： 本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN104342632A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310341787.3
申请日：2013-08-07
IPC分类号： C23C16/02
CPC分类号： H01J37/32871 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32651 , H01J2237/335 , C23C16/0227 , C23C16/0245
摘要： 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备，包括腔体、顶盖和承载单元，顶盖设置在腔体顶端，承载单元设置在腔体底部，用以承载晶片，并且，在腔体内的承载单元上方设置有离子过滤单元，该离子过滤单元用于在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子。本发明提供的预清洗腔室，其可以在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子，从而可以避免等离子体中的氢离子对Low-k材料的不良影响，进而可以提高产品性能。
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公开(公告)号：CN102543636B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010622211.0
申请日：2010-12-27
摘要： 本发明提供一种法拉第屏蔽及等离子体加工设备，所述法拉第屏蔽包括至少两个并排设置的屏蔽单元，每个所述屏蔽单元包括多个间隔排列设置的屏蔽段，且相邻两屏蔽单元所包括的屏蔽段交错设置，所述屏蔽段均设置有朝向相对应交错设置的屏蔽段的阻挡部，且相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间构成屏蔽通道。本发明的法拉第屏蔽可以减少、甚至完全避免等离子体穿过法拉第屏蔽。
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公开(公告)号：CN103849836A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210516454.5
申请日：2012-12-05
摘要： 本发明公开了一种等离子体设备及其反应腔室，用于等离子体的反应腔室报包括：腔体，所述腔体内具有反应腔，所述反应腔具有工艺气体进口和工艺气体出口；和边缘磁场增强组件，所述边缘磁场增强组件设在所述反应腔内以增强所述反应腔外周缘处的磁场。根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室具有能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口等优点。
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公开(公告)号：CN103014745A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110299536.4
申请日：2011-09-28
发明人： 吕铀
IPC分类号： C23G5/04
摘要： 本发明提供一种等离子体预清洗装置，包括线圈、法拉第屏蔽件、介质桶、设置在所述介质桶顶端的顶盖以及与所述介质桶底端相连的腔体，所述法拉第屏蔽件套在所述介质桶的外侧，所述线圈缠绕在所述法拉第屏蔽件的外侧，所述法拉第屏蔽件包括沿所述介质桶周缘方向排列的至少两个相互不接触的法拉第屏蔽单元。该等离子体预清洗装置不仅可以减少线圈与等离子体之间容性耦合的发生，而且可以减少、甚至避免法拉第屏蔽件上产生涡流，从而可以提高作用在线圈上的射频功率的能量耦合效率。
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公开(公告)号：CN104593735A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310533349.7
申请日：2013-11-01
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/3407 , C23C14/34
摘要： 本发明提供一种用于反应腔的屏蔽结构，其中，反应腔包括介质窗，屏蔽结构包括遮挡件和遮挡层，遮挡层设置在所述介质窗的内壁上，且遮挡层包括至少一个缺口，以使遮挡层在周向上不连续，遮挡件设置在所述介质窗的内壁上并位于所述缺口中，且遮挡件凸出于所述介质窗的内壁，遮挡件与遮挡层之间形成有射频能量传送通道。本发明能够防止溅射粒子或者带电离子轰击介质窗的内壁，同时能够避免溅射粒子沉积出的金属层产生闭合环路，以及避免溅射粒子剥落后造成的颗粒污染。与现有技术相比，本发明克服了现有技术中屏蔽层结构的齿状沟槽中容易沉积溅射粒子导致齿状沟槽闭合的问题，同时，降低了加工精度的要求，节约了成本。
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公开(公告)号：CN104425201A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310388807.2
申请日：2013-08-30
CPC分类号： H01J37/32183
摘要： 本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN102418073B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110099424.4
申请日：2011-04-20
CPC分类号： C23C14/358 , C23C14/564 , H01J37/32467 , H01J37/32651 , H01J37/32871 , H01J37/3411
摘要： 一种溅射腔室、预清洗腔室以及等离子体加工设备，所述溅射腔室包括腔体、靶、静电卡盘以及电感线圈，所述靶设置在所述腔体顶端并与电源连接，所述静电卡盘设置在所述腔体底部，所述电感线圈设置在所述腔体的外侧。该溅射腔室可以避免电感线圈被等离子体溅射，从而提高电感线圈的使用寿命，降低溅射腔室的使用成本，同时减少溅射腔室内的颗粒污染源，以及避免因电感线圈表面沉积颗粒而污染被加工工件以及提高靶的利用率。所述预清洗腔室可以将顶盖设计成易于加工的结构，避免采用加工成本较高的拱形结构，从而降低顶盖的加工成本以及提高颗粒与顶盖的附着力，减少甚至避免附着在顶盖表面的颗粒对位于顶盖下方的被加工工件的污染。
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公开(公告)号：CN103854945A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210516399.X
申请日：2012-12-05
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32669
摘要： 本发明提出了一种等离子体设备及其反应腔室。所述反应腔室包括腔体、线圈和多个磁铁。其中腔体内具有反应腔。线圈环绕腔体的外周壁设置。多个磁铁设在腔体之外且沿腔体的周向间隔布置，多个磁铁的N极沿腔体的轴向定向且朝向同一方向。根据本发明的用于等离子体设备的反应腔室，通过在腔体的外面沿周向设置多个磁铁，在清洗工艺过程中，磁铁可吸引工艺气体例如Ar等离子体向着反应腔的边缘周壁处运动，从而降低了中心处的等离子密度，增加了边缘处的等离子密度，进而提高了反应腔内等离子体分布的均匀性，使等离子体可对基座上的晶片均匀地刻蚀，提高晶片上杂质的去除效果，同时还有效增加了用于等离子体设备的反应腔室的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN103849836B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210516454.5
申请日：2012-12-05
摘要： 本发明公开了一种等离子体设备及其反应腔室，用于电感耦合等离子体设备的反应腔室包括：腔体，所述腔体内具有反应腔，所述反应腔具有工艺气体进口和工艺气体出口；和边缘磁场增强组件，所述边缘磁场增强组件设在所述反应腔内以增强所述反应腔外周缘处的磁场。根据本发明实施例的用于电感耦合等离子体设备的反应腔室具有能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口等优点。
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