本发明涉及一种可在较小的亚阈值下动作且可容易地制造的隧道场效应晶体管。本发明的隧道场效应晶体管包含：IV族半导体基板，掺杂为第一导电型；III-V族化合物半导体纳米线，配置在所述IV族半导体基板的(111)面上，且包含连接于所述IV族半导体基板的(111)面的第一区域、及掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的第二区域；源极电极，连接于所述IV族半导体基板；漏极电极，连接于所述III-V族化合物半导体纳米线的第二区域；及栅极电极，配置在可对所述IV族半导体基板的(111)面与所述III-V族化合物半导体纳米线的界面、或所述III-V族化合物半导体纳米线的第一区域与第二区域的界面产生效应的位置。