公开(公告)号：CN102187477B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN200880131591.9

申请日：2008-10-17

申请人： 国立大学法人北海道大学 ,  夏普株式会社

发明人： 比留间健之 ,  原真二郎 ,  本久顺一 ,  福井孝志

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明的目的在于使用MOVPE选择生长法在同一个基片上制造具有多个波长的半导体面发光元件。具体而言，提供一种半导体发光元件阵列，其包括：半导体结晶基片；配置在所述半导体结晶基片的表面的绝缘膜，其中所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，并且在所述2个以上的区域的每个区域中分别形成有使所述基片的表面露出的2个以上的开口部；从所述基片的表面通过所述开口部向上方延伸的半导体棒，其在所述延伸方向上层叠n型半导体层和p型半导体层，具有p-n结；和与所述半导体结晶基片连接的第一电极，以及与所述半导体棒的上部连接的第二电极，所述半导体棒自所述基片表面的高度，按所述2个以上的区域的每个区域而不同。

公开(公告)号：CN102576726B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201080043950.2

申请日：2010-09-29

申请人： 国立大学法人北海道大学

发明人： 冨冈克広 ,  福井孝志 ,  田中智隆

IPC分类号： H01L29/66 ,  C30B29/62 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/005 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

摘要： 本发明涉及一种可在较小的亚阈值下动作且可容易地制造的隧道场效应晶体管。本发明的隧道场效应晶体管包含：IV族半导体基板，掺杂为第一导电型；III-V族化合物半导体纳米线，配置在所述IV族半导体基板的(111)面上，且包含连接于所述IV族半导体基板的(111)面的第一区域、及掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的第二区域；源极电极，连接于所述IV族半导体基板；漏极电极，连接于所述III-V族化合物半导体纳米线的第二区域；及栅极电极，配置在可对所述IV族半导体基板的(111)面与所述III-V族化合物半导体纳米线的界面、或所述III-V族化合物半导体纳米线的第一区域与第二区域的界面产生效应的位置。

公开(公告)号：CN102576726A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043950.2

申请日：2010-09-29

申请人： 国立大学法人北海道大学

发明人： 冨冈克広 ,  福井孝志 ,  田中智隆

IPC分类号： H01L29/66 ,  C30B29/62 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/005 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

摘要： 本发明涉及一种可在较小的亚阈值下动作且可容易地制造的隧道场效应晶体管。本发明的隧道场效应晶体管包含：IV族半导体基板，掺杂为第一导电型；III-V族化合物半导体纳米线，配置在所述IV族半导体基板的(111)面上，且包含连接于所述IV族半导体基板的(111)面的第一区域、及掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的第二区域；源极电极，连接于所述IV族半导体基板；漏极电极，连接于所述III-V族化合物半导体纳米线的第二区域；及栅极电极，配置在可对所述IV族半导体基板的(111)面与所述III-V族化合物半导体纳米线的界面、或所述III-V族化合物半导体纳米线的第一区域与第二区域的界面产生效应的位置。

公开(公告)号：CN102187477A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200880131591.9

申请日：2008-10-17

申请人： 国立大学法人北海道大学

发明人： 比留间健之 ,  原真二郎 ,  本久顺一 ,  福井孝志

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明的目的在于使用MOVPE选择生长法在同一个基片上制造具有多个波长的半导体面发光元件。具体而言，提供一种半导体发光元件阵列，其包括：半导体结晶基片；配置在所述半导体结晶基片的表面的绝缘膜，其中所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，并且在所述2个以上的区域的每个区域中分别形成有使所述基片的表面露出的2个以上的开口部；从所述基片的表面通过所述开口部向上方延伸的半导体棒，其在所述延伸方向上层叠n型半导体层和p型半导体层，具有p-n结；和与所述半导体结晶基片连接的第一电极，以及与所述半导体棒的上部连接的第二电极，所述半导体棒自所述基片表面的高度，按所述2个以上的区域的每个区域而不同。