发明授权
- 专利标题: 沉积材料的方法
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申请号: CN201210020804.9申请日: 2012-01-30
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公开(公告)号: CN102618844B公开(公告)日: 2017-04-12
- 发明人: A.P.J.M.博特曼 , S.兰多夫 , M.托思
- 申请人: FEI 公司
- 申请人地址: 美国俄勒冈州
- 专利权人: FEI 公司
- 当前专利权人: FEI 公司
- 当前专利权人地址: 美国俄勒冈州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 李连涛; 艾尼瓦尔
- 优先权: 13/017015 20110130 US
- 主分类号: C23C16/44
- IPC分类号: C23C16/44 ; C23C16/04
摘要:
改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体来沉积低电阻率金属材料,如锡。申请人已经发现,通过使用甲基化或乙基化金属,如六甲基二锡作为前体,可以沉积电阻率低至40µΩ∙cm的材料。
公开/授权文献
- CN102618844A 沉积材料的方法 公开/授权日:2012-08-01
IPC分类: