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公开(公告)号：CN102618852B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210020842.4
申请日：2012-01-30
申请人： FEI公司
IPC分类号： C23C16/513
CPC分类号： C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/407 , H01J2237/31732 , H01L21/28556 , H01L21/76877 , H01L21/76892
摘要： 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40μΩ?cm的材料。
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公开(公告)号：CN102618844B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210020804.9
申请日：2012-01-30
申请人： FEI 公司
发明人： A.P.J.M.博特曼 , S.兰多夫 , M.托思
CPC分类号： C23C16/0263 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/52
摘要： 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体来沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ∙cm的材料。
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公开(公告)号：CN103066012A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210345182.7
申请日：2012-09-18
申请人： FEI公司
发明人： A.P.J.M.博曼 , M.托思 , S.兰多夫 , D.H.纳鲁姆
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/20 , C25D5/003 , C25D5/02 , C25D5/026 , C25D5/04 , C25D17/005 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D21/04 , C25D21/12 , H01J37/18 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/182 , H01J2237/2003 , H01J2237/202 , H01J2237/2801
摘要： 本发明涉及小结构的局部真空中修改。使用一种电荷转移机制来针对小结构来局部淀积或去除材料。创建局部电化学电池而不必将整个工件浸入浴中。电荷转移机制可以与荷电粒子束或激光系统一起使用以修改小结构，诸如集成电路或微机电系统。电荷转移工艺可以在空气中执行，在一些实施例中可以在真空室中执行。
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公开(公告)号：CN103066012B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210345182.7
申请日：2012-09-18
申请人： FEI 公司
发明人： A.P.J.M.博曼 , M.托思 , S.兰多夫 , D.H.纳鲁姆
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/20 , C25D5/003 , C25D5/02 , C25D5/026 , C25D5/04 , C25D17/005 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D21/04 , C25D21/12 , H01J37/18 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/182 , H01J2237/2003 , H01J2237/202 , H01J2237/2801
摘要： 本发明涉及小结构的局部真空中修改。使用一种电荷转移机制来针对小结构来局部淀积或去除材料。创建局部电化学电池而不必将整个工件浸入浴中。电荷转移机制可以与荷电粒子束或激光系统一起使用以修改小结构，诸如集成电路或微机电系统。电荷转移工艺可以在空气中执行，在一些实施例中可以在真空室中执行。
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公开(公告)号：CN102618852A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210020842.4
申请日：2012-01-30
申请人： FEI公司
IPC分类号： C23C16/513
CPC分类号： C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/407 , H01J2237/31732 , H01L21/28556 , H01L21/76877 , H01L21/76892
摘要： 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ. cm的材料。
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公开(公告)号：CN102618844A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210020804.9
申请日：2012-01-30
申请人： FEI公司
发明人： A.P.J.M.博特曼 , S.兰多夫 , M.托思
CPC分类号： C23C16/0263 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/52
摘要： 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体来沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ·cm的材料。
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