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CN102623501A 带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管 有权 转让

带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管
摘要：
一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中的源极区，至少一部分源极区延伸到电介质材料上方；一个接触沟槽，使源极区和本体区之间能进行电气等接触；以及一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区以及至少一部分接触沟槽上方的金属层。
摘要（英）：

Provided is a semiconductor device formed on a semiconductor substrate having a substrate top surface, includes: a gate trench extending from the substrate top surface into the semiconductor substrate; a gate electrode in the gate trench; a dielectric material disposed over the gate electrode; a body region adjacent to the gate trench; a source region embedded in the body region, at least a portion of the source region extending above the dielectric material; a contact trench that allows contact such as electrical contact between the source region and the body region; and a metal layer disposed over at least a portion of a gate trench opening, at least a portion of the source region, and at least a portion of the contact trench.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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