发明授权
- 专利标题: 一种生长纯净准单晶的铸锭热场
- 专利标题(英): Ingot thermal field for growing pure quasi-monocrystalline
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申请号: CN201210205228.5申请日: 2012-06-20
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公开(公告)号: CN102732947B公开(公告)日: 2014-11-26
- 发明人: 张志强 , 黄振飞 , 刘振准
- 申请人: 常州天合光能有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
- 专利权人: 常州天合光能有限公司
- 当前专利权人: 天合光能有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
- 代理机构: 常州市维益专利事务所
- 代理商 王凌霄
- 主分类号: C30B11/00
- IPC分类号: C30B11/00
摘要:
本发明涉及一种生长纯净准单晶的铸锭热场,具有上炉体、下炉体,所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚,石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器,移动式副加热器与副加热器电极连接,副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接,副加热器电极移动装置安装在上炉体上,副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动,移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。本发明能够阻止固液界面前沿的石英陶瓷坩埚壁面上晶核的产生和向内生长,生长纯净准单晶晶棒的比例较高。
公开/授权文献
- CN102732947A 一种生长纯净准单晶的铸锭热场 公开/授权日:2012-10-17
IPC分类: