-
公开(公告)号：CN102732950B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210205227.0
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种连续生长准单晶晶体的装置，具有用于放置硅溶液的坩埚，坩埚上方设置有链式长晶循环装置，链式长晶循环装置包括动力支撑盘和循环链条，循环链条具有籽晶挂载区、生长区，籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面分离，籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面形成一定角度，籽晶挂载区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度大于生长区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度，生长区内的链条上方设置有冷却器。本发明中晶体和坩埚脱离接触，避免传统石英陶瓷坩埚中金属杂质向晶体内杂质扩散引起的少子寿命降低，提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN102732950A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210205227.0
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种连续生长准单晶晶体的装置，具有用于放置硅溶液的坩埚，坩埚上方设置有链式长晶循环装置，链式长晶循环装置包括动力支撑盘和循环链条，循环链条具有籽晶挂载区、生长区，籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面分离，籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面形成一定角度，籽晶挂载区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度大于生长区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度，生长区内的链条上方设置有冷却器。本发明中晶体和坩埚脱离接触，避免传统石英陶瓷坩埚中金属杂质向晶体内杂质扩散引起的少子寿命降低，提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN102732947A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210205228.5
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明涉及一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，移动式副加热器与副加热器电极连接，副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，副加热器电极移动装置安装在上炉体上，副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。本发明能够阻止固液界面前沿的石英陶瓷坩埚壁面上晶核的产生和向内生长，生长纯净准单晶晶棒的比例较高。
-
公开(公告)号：CN102732947B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210205228.5
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明涉及一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，移动式副加热器与副加热器电极连接，副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，副加热器电极移动装置安装在上炉体上，副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。本发明能够阻止固液界面前沿的石英陶瓷坩埚壁面上晶核的产生和向内生长，生长纯净准单晶晶棒的比例较高。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.026 秒)
