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公开(公告)号：CN102732947B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210205228.5
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明涉及一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，移动式副加热器与副加热器电极连接，副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，副加热器电极移动装置安装在上炉体上，副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。本发明能够阻止固液界面前沿的石英陶瓷坩埚壁面上晶核的产生和向内生长，生长纯净准单晶晶棒的比例较高。
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公开(公告)号：CN102021650A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010620738.X
申请日：2010-12-31
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池铸锭技术领域，尤其是一种大型多晶锭的生产方法，先将氮化硅与水通过电动搅拌15min～30min混合均匀作涂覆液，将坩埚进行预热后，将涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面，然后坩埚进行高温烘焙，烘焙后的坩埚内进行装硅料，对装入硅料的坩埚进行装炉，将多晶炉抽真空后通入保护气体氩气，对多晶炉进行加热使得硅料融化，最后通过定向凝固，将融化的硅料从底部到上部逐渐结晶，然后通过高温退火逐步冷却后出炉，出炉后的晶锭在室温冷却后进行拆坩埚，获得用于切片做电池的多晶硅锭。实现比较大的装料量，既能提高铸锭的产能，晶锭的利用率，又能降低成本，满足大载荷切片机要求，维持其晶体质量不变。
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公开(公告)号：CN105112995A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510512590.0
申请日：2015-08-19
申请人： 常州天合光能有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉用的复合隔碳涂层，用于涂覆在铸锭炉内的碳材料器件表面，防止碳污染，其特征在于：所述复合隔碳涂层包括涂覆在器件表面的由金属钨或金属钼构成的第一涂层，以及涂覆在第一涂层上的第二涂层，所述第二涂层为氮化硅层或者由氮化硅层与氧化硅层构成的叠层，第一涂层厚度为0.02-300微米，第二涂层厚度为0.02-300微米。本发明还公开了一种制备所述的复合隔碳涂层的方法；同时，本发明还公开了包含所述的复合隔碳涂层的石墨护板以及多晶硅铸锭炉。本发明通过在多晶铸锭炉内的碳材料器件表面涂覆所述复合隔碳层，来消除一氧化碳的产生，从而降低铸锭多晶硅中的杂质及杂质衍生的位错，提高晶体质量，进而提升太阳电池转换效率。
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公开(公告)号：CN102732950A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210205227.0
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种连续生长准单晶晶体的装置，具有用于放置硅溶液的坩埚，坩埚上方设置有链式长晶循环装置，链式长晶循环装置包括动力支撑盘和循环链条，循环链条具有籽晶挂载区、生长区，籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面分离，籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面形成一定角度，籽晶挂载区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度大于生长区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度，生长区内的链条上方设置有冷却器。本发明中晶体和坩埚脱离接触，避免传统石英陶瓷坩埚中金属杂质向晶体内杂质扩散引起的少子寿命降低，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN102425006A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110457748.0
申请日：2011-12-30
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场，包括熔化、长晶、退火和冷却过程；铸锭多晶热场中的保温腔是由顶板、侧壁、和底板三部分组成的；其中顶板位置固定，侧壁和底板可上下移动，根据长晶过程的不同阶段的需要，控制侧壁和底板之间的距离。本发明的目的首先在于减少化料过程的电耗，达到节电的效果，其次在于通过分别控制热腔底板和热腔侧壁的移动距离，在多晶硅晶锭生长过程中，控制底部散热方向，间接控制晶体的生长界面，平整的生长界面有助于得到高质量的晶体，有利于提高光伏电池的装换效率。
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公开(公告)号：CN102206857A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110111693.8
申请日：2011-04-30
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种 晶向铸锭硅单晶及其制备方法，包括以下步骤：1)将 晶向单晶硅块紧密排列，铺满坩埚底部，然后依次将硅料、掺杂元素原料、硅料置于坩埚中；2)抽取真空，通入惰性气体，边抽真空边通入惰性气体；3)加热坩埚，使 晶向的单晶硅块接触于坩埚底部的部分不熔化，与坩埚不接触的部分、硅料及掺杂元素原料均熔化并在原子尺度上彼此充分混合；4)定向凝固时，使坩埚底部为冷端， 晶向单晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到 晶向的铸锭单晶硅。本发明能得到单晶比例高达95％以上的铸锭单晶，能显著降低用于制造太阳能电池的单晶硅成本。
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公开(公告)号：CN102094238A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010294194.2
申请日：2010-09-28
申请人： 常州天合光能有限公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及半导体硅多晶铸锭生产的技术领域，尤其是一种降低铸锭多晶体内应力缺陷的方法：其降低铸锭多晶体内应力缺陷的方法采取的冷却方式为自多晶铸锭的上部开始冷却。本发明改善了铸锭多晶的冷却过程，使得结晶过程的应力得以有效释放，减少晶体内滑移位错等晶体缺陷，提高电池的转化效率，提高硅片制程的成品率。
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公开(公告)号：CN105112995B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510512590.0
申请日：2015-08-19
申请人： 常州天合光能有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉用的复合隔碳涂层，用于涂覆在铸锭炉内的碳材料器件表面，防止碳污染，其特征在于：所述复合隔碳涂层包括涂覆在器件表面的由金属钨或金属钼构成的第一涂层，以及涂覆在第一涂层上的第二涂层，所述第二涂层为氮化硅层或者由氮化硅层与氧化硅层构成的叠层，第一涂层厚度为0.02‑300微米，第二涂层厚度为0.02‑300微米。本发明还公开了一种制备所述的复合隔碳涂层的方法；同时，本发明还公开了包含所述的复合隔碳涂层的石墨护板以及多晶硅铸锭炉。本发明通过在多晶铸锭炉内的碳材料器件表面涂覆所述复合隔碳层，来消除一氧化碳的产生，从而降低铸锭多晶硅中的杂质及杂质衍生的位错，提高晶体质量，进而提升太阳电池转换效率。
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公开(公告)号：CN102108544A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010299013.5
申请日：2010-10-08
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种控制长晶界面的多晶炉热场结构，具有上炉体、下炉体，上炉体内设置有隔热笼和上保温板，下炉体内设置有底保温板，支撑杆支撑隔热笼内的石墨助凝块，石墨助凝块两端边缘均倒挂有L形保温板，隔热笼内壁底部装有侧保温板，加热时，隔热笼、侧保温板、底保温板、上保温板形成封闭空腔；长晶时，侧保温板与L形保温板之间的间隙为5～30mm。本发明在多晶铸锭生长时，使其结晶界面始终维持为较为理想的平面状态，从而使铸锭多晶晶锭的径向电阻率更为均匀，提高硅片电性能的均匀性，减少晶体中的径向温度梯度，从而降低晶体内的热应力，减少晶体缺陷，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102102219A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110062659.6
申请日：2011-03-16
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能单晶炉热场技术领域，特别是一种可提高单晶炉生长速度的冷却装置，包括冷却器，冷却器为具有锥度的筒状，设置在热屏内侧。冷却器和紧贴热屏内侧，和热屏内侧具有相同的锥度。冷却器通过连接管连接到炉筒上，冷却器的冷却介质进出口均设置在炉筒上，冷却介质通过冷却介质进出口并沿连接管进入冷却器进行冷却。炉筒为一段独立的副炉筒。冷却介质进出口上设置流量调节阀。本冷却装置结构设计合理，杜绝了冷却介质与冷却器之间的传递过程存在泄漏的可能，而且在热场中采用本冷却装置后强化对晶棒的冷却效果，从而增强晶棒纵向温度梯度，提高硅单晶的生长速度，达到快速生长单晶硅棒的目的。
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