发明授权
- 专利标题： 半导体器件及方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method
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申请号： CN201180015877.2申请日： 2011-02-16
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公开(公告)号： CN102822975B公开(公告)日： 2015-07-08
- 发明人: 维什努·K·凯姆卡 , 塔希尔·A·坎 , 黄伟晓 , 祝荣华
- 申请人： 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯
- 专利权人： 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李佳; 穆德骏
- 优先权： 12/750,151 2010.03.30 US
- 国际申请： PCT/US2011/024983 2011.02.16
- 国际公布： WO2011/126609 EN 2011.10.13
- 进入国家日期： 2012-09-25
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
晶体管(21、41)采用浮动埋层。该浮动埋层可以易受耦合于该浮动埋层的噪声的影响。在IGFETS中，这是通过提供耦合该埋层(102、142、172、202)的常开开关(80、80′)和IGFET的源极(22、42)或漏极(24、44)来减少或消除的。当该晶体管(71、91)关闭时，这就夹住该埋层电压并且基本上度防止噪声耦合到那。当漏极-源极电压VDS超过开关(80、80′)的阈值电压Vt时，它就关闭，允许埋层(102、142、172、202)浮动，从而恢复正常晶体管动作而不降低击穿电压或导通电阻。在优选实施例中，常开横向的JFET(801、801、801-1、801-2、801-3)合宜地提供这种开关功能。横向的JFET(801-3)可以通过罩的变化而不是通过添加或定制任何加工步骤包含在器件(70、70′、90、90′)中，从而在不显著提高生产成本的情况下提供了改进的抗噪声能力。该改进不但适用于P沟道晶体管(90-1)而且适用于N沟道晶体管(70-1、70-2、70-3)并且对LDMOS器件特别有用。
公开/授权文献
- CN102822975A 半导体器件及方法 公开/授权日：2012-12-12
IPC分类:
