公开(公告)号：CN102822975B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201180015877.2

申请日：2011-02-16

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 维什努·K·凯姆卡 ,  塔希尔·A·坎 ,  黄伟晓 ,  祝荣华

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/098 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 晶体管(21、41)采用浮动埋层。该浮动埋层可以易受耦合于该浮动埋层的噪声的影响。在IGFETS中，这是通过提供耦合该埋层(102、142、172、202)的常开开关(80、80′)和IGFET的源极(22、42)或漏极(24、44)来减少或消除的。当该晶体管(71、91)关闭时，这就夹住该埋层电压并且基本上度防止噪声耦合到那。当漏极-源极电压VDS超过开关(80、80′)的阈值电压Vt时，它就关闭，允许埋层(102、142、172、202)浮动，从而恢复正常晶体管动作而不降低击穿电压或导通电阻。在优选实施例中，常开横向的JFET(801、801、801-1、801-2、801-3)合宜地提供这种开关功能。横向的JFET(801-3)可以通过罩的变化而不是通过添加或定制任何加工步骤包含在器件(70、70′、90、90′)中，从而在不显著提高生产成本的情况下提供了改进的抗噪声能力。该改进不但适用于P沟道晶体管(90-1)而且适用于N沟道晶体管(70-1、70-2、70-3)并且对LDMOS器件特别有用。

公开(公告)号：CN102822975A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180015877.2

申请日：2011-02-16

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 维什努·K·凯姆卡 ,  塔希尔·A·坎 ,  黄伟晓 ,  祝荣华

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/098 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 晶体管(21、41)采用浮动埋层。该浮动埋层可以易受耦合于该浮动埋层的噪声的影响。在IGFETS中，这是通过提供耦合该埋层(102、142、172、202)的常开开关(80、80′)和IGFET的源极(22、42)或漏极(24、44)来减少或消除的。当该晶体管(71、91)关闭时，这就夹住该埋层电压并且基本上度防止噪声耦合到那。当漏极-源极电压VDS超过开关(80、80′)的阈值电压Vt时，它就关闭，允许埋层(102、142、172、202)浮动，从而恢复正常晶体管动作而不降低击穿电压或导通电阻。在优选实施例中，常开横向的JFET(801、801、801-1、801-2、801-3)合宜地提供这种开关功能。横向的JFET(801-3)可以通过罩的变化而不是通过添加或定制任何加工步骤包含在器件(70、70′、90、90′)中，从而在不显著提高生产成本的情况下提供了改进的抗噪声能力。该改进不但适用于P沟道晶体管(90-1)而且适用于N沟道晶体管(70-1、70-2、70-3)并且对LDMOS器件特别有用。