发明授权
- 专利标题: 验证一次可编程存储器的写使能的电路
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申请号: CN201180021771.3申请日: 2011-04-15
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公开(公告)号: CN102870162B公开(公告)日: 2016-01-06
- 发明人: A·B·赫夫勒 , M·S·穆萨
- 申请人: 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人: 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘倜
- 优先权: 12/771,209 2010.04.30 US
- 国际申请: PCT/US2011/032739 2011.04.15
- 国际公布: WO2011/136948 EN 2011.11.03
- 进入国家日期: 2012-10-30
- 主分类号: G11C17/00
- IPC分类号: G11C17/00 ; G11C16/34
摘要:
提供了一种包括一次可编程(OTP)存储器(16)的存储器系统(10)。所述存储器系统(10)还包括写使能验证电路(14),其包括和在节点(34)耦接的非对称反相器级(30)对称反相器级(32)。所述写使能验证电路(14)被配置来接收写使能信号。当所述写使能信号从第一电压电平变为第二电压电平时,所述节点(34)处的电压以第一速率变化,并且其中当所述写使能信号从所述第二电压电平变为所述第一电压电平时,所述节点(34)处的电压以高于所述第一速率的第二速率变化。所述写使能验证电路(14)还被配置来产生已验证的写使能信号以用于使能所述OTP存储器(16)的编程。
公开/授权文献
- CN102870162A 验证一次可编程存储器的写使能的电路 公开/授权日:2013-01-09