发明授权
CN102870245B 功能设备的制造方法、场效应晶体管和薄膜晶体管
失效 - 权利终止
- 专利标题: 功能设备的制造方法、场效应晶体管和薄膜晶体管
-
申请号: CN201180021920.6申请日: 2011-05-06
-
公开(公告)号: CN102870245B公开(公告)日: 2015-07-29
- 发明人: 下田达也 , 德光永辅 , 宫迫毅明 , 金田敏彦
- 申请人: 独立行政法人科学技术振兴机构
- 申请人地址: 日本埼玉县川口市
- 专利权人: 独立行政法人科学技术振兴机构
- 当前专利权人: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- 当前专利权人地址: 日本埼玉县川口市
- 代理机构: 北京北翔知识产权代理有限公司
- 代理商 洪玉姬; 杨勇
- 优先权: 2010-107764 2010.05.07 JP; 2010-107768 2010.05.07 JP; 2010-118857 2010.05.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/060581 2011.05.06
- 国际公布: WO2011/138958 JA 2011.11.10
- 进入国家日期: 2012-10-30
- 主分类号: H01L41/318
- IPC分类号: H01L41/318 ; H01L41/33 ; B41J2/16 ; C23C18/12 ; C23C18/06 ; H01L27/12 ; H01L29/786
摘要:
本发明之一的功能设备的制造方法依次包括:功能固体材料前驱体层形成工序,通过在基材上涂布功能液体材料来形成功能固体材料的前驱体层;干燥工序,将前驱体层加热至80℃-250℃范围内的第一温度,以事先降低前驱体层的流动性;模压工序,在将前驱体层加热至80℃-300℃范围内的第二温度的状态下,对前驱体层施行模压加工,从而在前驱体层形成模压结构;功能固体材料层形成工序,将前驱体层以高于第二温度的第三温度进行热处理,由此从前驱体层形成功能固体材料层。
公开/授权文献
- CN102870245A 功能设备的制造方法、铁电体材料层的制造方法、场效应晶体管的制造方法和薄膜晶体管、场效应晶体管以及压电式喷墨头 公开/授权日:2013-01-09
IPC分类: