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公开(公告)号：CN102870245B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180021920.6
申请日：2011-05-06
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L41/318 , H01L41/33 , B41J2/16 , C23C18/12 , C23C18/06 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , B05D5/06 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/38 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H01L41/33
摘要： 本发明之一的功能设备的制造方法依次包括：功能固体材料前驱体层形成工序，通过在基材上涂布功能液体材料来形成功能固体材料的前驱体层；干燥工序，将前驱体层加热至80℃-250℃范围内的第一温度，以事先降低前驱体层的流动性；模压工序，在将前驱体层加热至80℃-300℃范围内的第二温度的状态下，对前驱体层施行模压加工，从而在前驱体层形成模压结构；功能固体材料层形成工序，将前驱体层以高于第二温度的第三温度进行热处理，由此从前驱体层形成功能固体材料层。
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公开(公告)号：CN103999207A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280058844.0
申请日：2012-10-25
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/316 , H01L27/04
CPC分类号： H01G4/1254 , H01G4/1263 , H01G4/306 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/02288 , H01L21/76817 , H01L27/016 , H01L28/40 , H01L29/84
摘要： 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。
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公开(公告)号：CN103999208A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280056578.8
申请日：2012-10-23
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/8246 , C01G29/00 , C01G35/00 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/39
CPC分类号： H01L29/516 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G29/006 , C01G35/00 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/75 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0478 , H01L41/0805 , H01L29/7839 , H01L41/0533 , H01L41/318 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要： 本发明提供一种铁电门薄膜晶体管，其为具备通道层(28)、门电极层(22)与门绝缘层(25)的铁电门薄膜晶体管(20)，门电极层(22)对通道层(28)的导通状态进行控制，门绝缘层(25)由配置于通道层(28)与门电极层(22)之间的铁电层所构成，门绝缘层(铁电层)(25)具有PZT层(23)与BLT层(Pb扩散防止层)(24)被积层的构造，通道层(氧化物导体层)(28)配置于门绝缘层(铁电层)(25)中的BLT层(Pb扩散防止层)(24)侧的面。根据本发明的铁电门薄膜晶体管(20)，以铁电门薄膜晶体管的转移特性容易劣化(例如内存窗口的宽度容易变窄)的问题为首，能够解决起因于Pb原子从PZT层扩散到氧化物导体层而有可能发生的各种问题。
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公开(公告)号：CN102870245A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021920.6
申请日：2011-05-06
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC分类号： H01L29/66969 , B05D5/06 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/38 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H01L41/33
摘要： 本发明之一的功能设备的制造方法依次包括：功能固体材料前驱体层形成工序，通过在基材上涂布功能液体材料来形成功能固体材料的前驱体层；干燥工序，将前驱体层加热至80℃-250℃范围内的第一温度，以事先降低前驱体层的流动性；模压工序，在将前驱体层加热至80℃-300℃范围内的第二温度的状态下，对前驱体层施行模压加工，从而在前驱体层形成模压结构；功能固体材料层形成工序，将前驱体层以高于第二温度的第三温度进行热处理，由此从前驱体层形成功能固体材料层。
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