功率半导体器件
摘要:
本发明提供具有晶圆(10)的功率半导体器件,其包括在发射极侧(11)上的发射极电极(2)与集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间的下列层:(n-)掺杂漂移层(3),n掺杂第一区(81),其设置在漂移层(3)与集电极电极(25)之间,p掺杂基极层(4),其设置在漂移层(3)与发射极电极(2)之间,该基极层(4)与发射极电极(2)直接电接触,n掺杂源区(6),其设置在发射极侧(11)且嵌入基极层(4)内并且接触发射极电极(2),栅电极(7),其与基极层(4)、源区(6)和漂移层(3)电绝缘。发射极电极(2)在接触区域(22)内接触基极层(4)和源区(6)。有源半导体单元(18)在晶圆(10)内形成,有源半导体单元(18)包括层或这样的层的部分:其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域(22)的发射极侧(11)、所述源区(6)和基极层(4)的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中。器件进一步包括p掺杂阱(5),其设置在与基极层(4)相同的平面中,但在有源单元(18)的外部。阱(5)直接或经由基极层(4)至少其中之一方式电连接到发射极电极(2)。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/70 ...双极器件
H01L29/72 ....晶体管型器件,如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/739 .....受场效应控制的
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