发明公开
- 专利标题: 功率半导体器件
- 专利标题(英): Power semiconductor device
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申请号: CN201180029814.2申请日: 2011-06-17
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公开(公告)号: CN102934231A公开(公告)日: 2013-02-13
- 发明人: L·施托拉施塔 , A·科普塔 , M·拉希莫
- 申请人: ABB技术有限公司
- 申请人地址: 瑞士苏黎世
- 专利权人: ABB技术有限公司
- 当前专利权人: 日立能源瑞士股份公司
- 当前专利权人地址: 瑞士苏黎世
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 张金金; 朱海煜
- 优先权: 10166258.3 2010.06.17 EP
- 国际申请: PCT/EP2011/060089 2011.06.17
- 国际公布: WO2011/157814 EN 2011.12.22
- 进入国家日期: 2012-12-17
- 主分类号: H01L29/739
- IPC分类号: H01L29/739 ; H01L29/10 ; H01L29/06 ; H01L29/78
摘要:
本发明提供具有晶圆(10)的功率半导体器件,其包括在发射极侧(11)上的发射极电极(2)与集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间的下列层:(n-)掺杂漂移层(3),n掺杂第一区(81),其设置在漂移层(3)与集电极电极(25)之间,p掺杂基极层(4),其设置在漂移层(3)与发射极电极(2)之间,该基极层(4)与发射极电极(2)直接电接触,n掺杂源区(6),其设置在发射极侧(11)且嵌入基极层(4)内并且接触发射极电极(2),栅电极(7),其与基极层(4)、源区(6)和漂移层(3)电绝缘。发射极电极(2)在接触区域(22)内接触基极层(4)和源区(6)。有源半导体单元(18)在晶圆(10)内形成,有源半导体单元(18)包括层或这样的层的部分:其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域(22)的发射极侧(11)、所述源区(6)和基极层(4)的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中。器件进一步包括p掺杂阱(5),其设置在与基极层(4)相同的平面中,但在有源单元(18)的外部。阱(5)直接或经由基极层(4)至少其中之一方式电连接到发射极电极(2)。
公开/授权文献
- CN102934231B 功率半导体器件 公开/授权日:2016-02-17
IPC分类: