公开(公告)号：CN102934231B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180029814.2

申请日：2011-06-17

申请人： ABB技术有限公司

发明人： L·施托拉施塔 ,  A·科普塔 ,  M·拉希莫

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396

摘要： 提供具有晶圆（10）的功率半导体器件，其包括在发射极侧（11）上的发射极电极（2）与集电极侧（15）上的集电极电极（25）之间的下列层：-（n-）掺杂漂移层（3），-n掺杂第一区（81），其设置在漂移层（3）与集电极电极（25）之间，-p掺杂基极层（4），其设置在漂移层（3）与发射极电极（2）之间，该基极层（4）与发射极电极（2）直接电接触，-n掺杂源区（6），其设置在发射极侧（11）且嵌入基极层（4）内并且接触发射极电极（2），-栅电极（7），其与基极层（4）、源区（6）和漂移层（3）电绝缘。发射极电极（2）在接触区域（22）内接触基极层（4）和源区（6）。有源半导体单元（18）在晶圆（10）内形成，有源半导体单元（18）包括层或这样的层的部分：其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域（22）的发射极侧（11）、所述源区（6）和基极层（4）的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中。器件进一步包括p掺杂阱（5），其设置在与基极层（4）相同的平面中，但在有源单元（18）的外部。阱（5）直接或经由基极层（4）至少其中之一方式电连接到发射极电极（2）。

公开(公告)号：CN102934231A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180029814.2

申请日：2011-06-17

申请人： ABB技术有限公司

发明人： L·施托拉施塔 ,  A·科普塔 ,  M·拉希莫

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396

摘要： 本发明提供具有晶圆（10）的功率半导体器件，其包括在发射极侧（11）上的发射极电极（2）与集电极侧（15）上的集电极电极（25）之间的下列层：（n-）掺杂漂移层（3），n掺杂第一区（81），其设置在漂移层（3）与集电极电极（25）之间，p掺杂基极层（4），其设置在漂移层（3）与发射极电极（2）之间，该基极层（4）与发射极电极（2）直接电接触，n掺杂源区（6），其设置在发射极侧（11）且嵌入基极层（4）内并且接触发射极电极（2），栅电极（7），其与基极层（4）、源区（6）和漂移层（3）电绝缘。发射极电极（2）在接触区域（22）内接触基极层（4）和源区（6）。有源半导体单元（18）在晶圆（10）内形成，有源半导体单元（18）包括层或这样的层的部分：其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域（22）的发射极侧（11）、所述源区（6）和基极层（4）的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中。器件进一步包括p掺杂阱（5），其设置在与基极层（4）相同的平面中，但在有源单元（18）的外部。阱（5）直接或经由基极层（4）至少其中之一方式电连接到发射极电极（2）。