沟渠晶体管

发明公开

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专利标题： 沟渠晶体管
专利标题（英）： Trench transistor
申请号： CN201110417395.1

申请日： 2011-12-14
公开(公告)号： CN103021860A

公开(公告)日： 2013-04-03
发明人: S·马修 , P·R·维尔马
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请人地址： 新加坡城
专利权人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
当前专利权人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
当前专利权人地址： 新加坡城
代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
代理商 程伟; 王锦阳
优先权： 13/237,969 2011.09.21 US
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/78

摘要：

本发明涉及沟渠晶体管。本发明还揭露一种形成装置的方法。提供一种定义有装置区的衬底，于该衬底的该装置区内形成埋入式掺杂区，于该衬底的该装置区的沟渠内形成栅极，于该沟渠的侧壁上配置该装置的沟道，于该栅极下方配置该埋入式掺杂区，该埋入式掺杂区至该沟道的距离为该装置的漂移长度LD，形成相邻该栅极的表面掺杂区。

摘要（英）：

The invention relates to a trench transistor, and discloses a method of forming a device. A substrate defined with a device region is provided. A buried doped region is formed in the substrate in the device region. A gate is formed in a trench in the substrate in the device region. A channel of the device is disposed on a sidewall of the trench. The buried doped region is disposed below the gate. A distance from the buried doped region to the channel is a drift length LD of the device. A surface doped region is formed adjacent to the gate.

公开/授权文献

CN103021860B 沟渠晶体管公开/授权日：2015-07-08

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的