公开(公告)号：CN116264256A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211412269.1

申请日：2022-11-11

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： K·高 ,  徐秋逸 ,  S·马修

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及用于高压应用的装置，披露一种装置包括设置在衬底上的埋置氧化物层、设置在埋置氧化物层上的第一区域和设置在第一区域中的第一环形区域。第一环形区域包括防护环部分。所述装置还包括设置在第一环形区域中的第一终端区域、设置在第一区域中的第二环形区域和设置在第二环形区域中的第二终端区域。第一终端区域连接阳极，并且第二终端区域连接阴极。第一区域具有梯度掺杂浓度。第一区域、第二环形区域和第二终端区域具有第一导电类型，并且第一环形区域和第一终端区域具有第二导电类型。第一导电类型不同于第二导电类型。

公开(公告)号：CN103021860A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110417395.1

申请日：2011-12-14

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： S·马修 ,  P·R·维尔马

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明涉及沟渠晶体管。本发明还揭露一种形成装置的方法。提供一种定义有装置区的衬底，于该衬底的该装置区内形成埋入式掺杂区，于该衬底的该装置区的沟渠内形成栅极，于该沟渠的侧壁上配置该装置的沟道，于该栅极下方配置该埋入式掺杂区，该埋入式掺杂区至该沟道的距离为该装置的漂移长度LD，形成相邻该栅极的表面掺杂区。

公开(公告)号：CN103021860B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110417395.1

申请日：2011-12-14

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： S·马修 ,  P·R·维尔马

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明涉及沟渠晶体管。本发明还揭露一种形成装置的方法。提供一种定义有装置区的衬底，于该衬底的该装置区内形成埋入式掺杂区，于该衬底的该装置区的沟渠内形成栅极，于该沟渠的侧壁上配置该装置的沟道，于该栅极下方配置该埋入式掺杂区，该埋入式掺杂区至该沟道的距离为该装置的漂移长度LD，形成相邻该栅极的表面掺杂区。