一种半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法，所述半导体刻蚀装置包括：反应腔，所述反应腔内具有承片台，用于放置待刻蚀基片；供气源，用于向所述反应腔内通入气体；等离子体射频功率源，用于将反应腔内的气体等离子体化；偏置射频功率源，用于在待刻蚀基片表面形成偏压；所述等离子体射频功率源和/或偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，且所述脉冲信号的脉冲频率和占空比随着时间的变化而改变。所述半导体刻蚀装置可以根据需要实时地调节反应腔内的等离子体的密度和偏置电压来控制通孔内的等离子体的交换和通孔内的反应速率，从而有利于控制通孔的侧壁形貌。