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公开(公告)号：CN107665856A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610614424.6
申请日：2016-07-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311
摘要： 本发明提供用于形成接触孔的方法与等离子体刻蚀方法，用以抑制栅上方氮化物层的肩部损伤。其中，所述等离子体刻蚀方法，包括：提供基片至等离子体刻蚀装置的反应腔，所述基片包括多个栅、位于栅上方及两侧的氮化物层、填充在相邻栅之间及氮化物层上方的氧化物层；将第一气体作为反应气体通入至反应腔，刻蚀所述氧化物层；将第二气体作为反应气体通入至反应腔，修复栅上方的氮化物层的形貌；将反应气体切换回第一气体，刻蚀相邻栅之间的氧化物层，以形成所述接触孔；其中，所述第一气体对氧化物层的刻蚀速度比第二气体快，所述第二气体对氮化物层的刻蚀速度比第一气体快。
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公开(公告)号：CN103035470B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210545662.8
申请日：2012-12-14
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 一种半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法，所述半导体刻蚀装置包括：反应腔，所述反应腔内具有承片台，用于放置待刻蚀基片；供气源，用于向所述反应腔内通入气体；等离子体射频功率源，用于将反应腔内的气体等离子体化；偏置射频功率源，用于在待刻蚀基片表面形成偏压；所述等离子体射频功率源和/或偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，且所述脉冲信号的脉冲频率和占空比随着时间的变化而改变。所述半导体刻蚀装置可以根据需要实时地调节反应腔内的等离子体的密度和偏置电压来控制通孔内的等离子体的交换和通孔内的反应速率，从而有利于控制通孔的侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN104008957A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310057688.2
申请日：2013-02-22
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L22/30
摘要： 一种用于等离子处理腔室的基片补偿刻蚀的方法，其中，所述基片置于腔室之中的基台之上进行刻蚀制程，当接收到预警信号时，相应腔室则停止其中对基片的刻蚀制程，待经过一段等待时间执行补偿刻蚀，其特征在于，所述方法包括：在所述等待时间期间，停止静电夹盘上的静电吸力，维持所述静电夹盘的冷却气体通道中的气体。本发明提供的基片补偿刻蚀的方法不会出现缺陷，良品率得到了提高。
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公开(公告)号：CN103874314A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210548861.4
申请日：2012-12-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种等离子体处理腔室，其中，包括：腔体，其包括顶板，所述顶板构成一绝缘材料窗；基片支撑装置，设置于所述腔体内的绝缘材料窗下方；射频功率发射装置，设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述腔体内；气体注入器，用于向所述腔体内供应处理气体，壳体，其设置于所述腔体内以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方，以限制处理气体的流动，所述壳体上下皆开口，且其上开口的直径大于所述下开口的直径。本发明能够优化反应腔内的气体分布以改进加工工艺的均一性。
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公开(公告)号：CN102856150A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210371965.2
申请日：2012-09-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体反应腔清洗装置，包含多个输气管，间隔的贯通等离子体反应腔壁，其延伸部分与腔壁的侧壁形成夹角；输气管上还可以设置快速调节阀，控制输入反应腔内的气体流量。一种用于上述装置的等离子体反应腔清洗方法，先通过气体喷头向反应腔内输入具有清洁能力的气体，然后通过本发明装置向反应腔内输入气体，气体电离为等离子体，继续通过本发明装置向反应腔内输入气体搅动等离子体形成涡流，等离子体涡流剧烈运动与反应腔内沉积的聚合物发生反应，清洗结束后将气体排出。本发明能够使等离子形成涡流剧烈运动，提高了等离子体与难清洁部位沉积的聚合物的反应几率，从而提高对难清洁部位沉积的聚合物的清洗能力。
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公开(公告)号：CN106898534A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510960587.5
申请日：2015-12-21
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32623 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种可提高等离子体处理全局均匀性的等离子体约束环、等离子体处理装置与处理方法。其中，该等离子体约束环包括呈环形的壁体，所述壁体所环绕的空间用于约束等离子体于其内，所述壁体包括：呈环形的内壁，由导体或半导体材料制成；呈环形的外壁，由电绝缘材料制成。
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公开(公告)号：CN104282519B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310294705.4
申请日：2013-07-12
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之后，在腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。本发明提供了一种安全可靠有效的等离子体腔室清洁方法，并且能够提高静电夹盘寿命，节省成本。
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公开(公告)号：CN104282518B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310294419.8
申请日：2013-07-12
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之前，在所述腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.执行基片制程，然后将基片移除出腔室以外；c.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。同时，由于不含氟的聚合物层的保护作用，基片制程过程中和清洁过程中对强势组件造成的腐蚀被大大降低，因此强势组件的使用寿命大大延长，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104282518A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310294419.8
申请日：2013-07-12
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/32495
摘要： 本发明提供了一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之前，在所述腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.执行基片制程，然后将基片移除出腔室以外；c.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。同时，由于不含氟的聚合物层的保护作用，基片制程过程中和清洁过程中对强势组件造成的腐蚀被大大降低，因此强势组件的使用寿命大大延长，降低了成本。
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公开(公告)号：CN103035470A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210545662.8
申请日：2012-12-14
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 一种半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法，所述半导体刻蚀装置包括：反应腔，所述反应腔内具有承片台，用于放置待刻蚀基片；供气源，用于向所述反应腔内通入气体；等离子体射频功率源，用于将反应腔内的气体等离子体化；偏置射频功率源，用于在待刻蚀基片表面形成偏压；所述等离子体射频功率源和/或偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，且所述脉冲信号的脉冲频率和占空比随着时间的变化而改变。所述半导体刻蚀装置可以根据需要实时地调节反应腔内的等离子体的密度和偏置电压来控制通孔内的等离子体的交换和通孔内的反应速率，从而有利于控制通孔的侧壁形貌。
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