Invention Grant
- Patent Title: 射频LDMOS器件及其制造方法
-
Application No.: CN201210521428.1Application Date: 2012-12-07
-
Publication No.: CN103035730BPublication Date: 2015-12-02
- Inventor: 钱文生
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 殷晓雪
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L21/28
Abstract:
本申请公开了一种射频LDMOS器件，栅极在源区和漏区之间。所述栅极分为靠近源区的第一部分和靠近漏区的第二部分，第一部分的掺杂浓度比第二部分的掺杂浓度大一个数量级以上。本申请还公开了其制造方法。由于使得多晶硅栅极的掺杂浓度呈现两段式，本申请可以在获取低导通电阻的同时，降低热载流子效应。
Public/Granted literature
- CN103035730A 射频LDMOS器件及其制造方法 Public/Granted day:2013-04-10
Information query
IPC分类:
