发明公开
- 专利标题: 多层介质刻蚀方法
- 专利标题(英): Multilayered medium etching method
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申请号: CN201210594434.X申请日: 2012-12-31
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公开(公告)号: CN103050396A公开(公告)日: 2013-04-17
- 发明人: 杜若昕 , 王兆祥 , 刘骁兵 , 刘志强
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海天辰知识产权代理事务所
- 代理商 吴世华; 林彦之
- 主分类号: H01L21/311
- IPC分类号: H01L21/311 ; H01L21/768
摘要:
本发明涉及半导体技术领域,公开了一多层介质刻蚀方法,包括步骤:提供半导体基底,其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层;以图形化的光阻材料层为掩膜,对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化,并以此对多层介质进行刻蚀至暴露出半导体基底表面。该方法采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体,并添加一定流量的氮氧气体,能够通过一次等离子体刻蚀达到刻蚀不同材料形成的多层介质的目的,而无需按照材料分层多步进行。同时,其对作为掩膜的光阻材料层具有较低的刻蚀速率。
公开/授权文献
- CN103050396B 多层介质刻蚀方法 公开/授权日:2016-08-03