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公开(公告)号：CN104715995A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310692538.9
申请日：2013-12-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32449
摘要： 本发明公开了一种气体供应装置及其等离子体反应装置，所述气体供应装置装置包括一反应气体源，所述反应气体源通过第一控制阀门连接一气体存储器，所述气体存储器连接一压力测量装置，所述气体存储器通过第二控制阀门将反应气体输送到真空反应腔内。采用体积固定的气体存储器，通过对其内部压强的监测可以方便、精确的控制气体进入反应腔的流量，同时，使用控制阀门可以快速的实现气体存储器的充气和放气，改善了传统技术中由于采用流量控制装置MFC导致的气体切换速率达不到要求导致的硅通孔侧壁上的扇贝状粗糙面严重，以及在射频功率为脉冲输出时反应气体的浪费等问题。
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公开(公告)号：CN104682917B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310613328.6
申请日：2013-11-27
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种用于等离子体反应器的阻抗匹配网络，包括至少一电感和一可变电容单元，所述可变电容单元包括至少一个可变真空电容，所述可变真空电容包括两个平行的电极板，所述两电极板间设置一环形压电陶瓷板，所述环形压电陶瓷板连接一驱动电源，所述环形压电陶瓷板的中空区域设置一弧形电极板。本发明所述的阻抗匹配网络中的可变真空电容利用压电陶瓷材料的逆压电效应，在对压电陶瓷施加交变驱动电压时，压电陶瓷能迅速沿着电压加载方向发生伸缩运动，使弧形电极板相对另一极板的距离发生变化，进而迅速改变可变真空电容的电容值，实现真空可变电容能在微秒量级内大小调节，满足等离子体阻抗迅速随射频功率源输出改变的需要。
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公开(公告)号：CN107154332A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610119938.4
申请日：2016-03-03
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32477 , H01J37/32807
摘要： 本发明提供了一种等离子体处理装置及在等离子体处理装置内处理基片的方法。所述等离子体处理装置包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极及一下电极，本发明在所述下电极外围环绕设置一中空绝缘环，并在所述中空绝缘环内设置一射频线圈，通过在清洁工艺中向射频线圈施加射频功率可以提高边缘区域清洁气体的解离程度，进而提高边缘区域清洁等离子体的浓度；高浓度的清洁等离子体有利于保证边缘区域部件的清洁效果。在刻蚀工艺中，通过设置射频线圈接地可以有效的避免施加到下电极上的射频功率在射频线圈上产生放电。
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公开(公告)号：CN106298419A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510253317.0
申请日：2015-05-18
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种电感耦合等离子体的处理系统，其包括射频电源系统，所述射频电源系统包括源射频电源系统和偏置射频电源系统，所述源射频电源系统包括源射频电源和源匹配网络，所述偏置射频电源系统包括偏置射频电源和偏置匹配网络，其中，所述源射频电源为固定频率的电源，所述偏置射频电源为调频电源，所述源匹配网络为自动匹配网络，所述偏置匹配网络为具有宽频带工作的固定匹配网络。本发明提供的电感耦合等离子体处理系统能够实现射频电源和等离子体之间的阻抗快速准确地匹配。此外，本发明还提供了一种电感耦合等离子体的处理方法。
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公开(公告)号：CN106298419B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510253317.0
申请日：2015-05-18
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种电感耦合等离子体的处理系统，其包括射频电源系统，所述射频电源系统包括源射频电源系统和偏置射频电源系统，所述源射频电源系统包括源射频电源和源匹配网络，所述偏置射频电源系统包括偏置射频电源和偏置匹配网络，其中，所述源射频电源为固定频率的电源，所述偏置射频电源为调频电源，所述源匹配网络为自动匹配网络，所述偏置匹配网络为具有宽频带工作的固定匹配网络。本发明提供的电感耦合等离子体处理系统能够实现射频电源和等离子体之间的阻抗快速准确地匹配。此外，本发明还提供了一种电感耦合等离子体的处理方法。
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公开(公告)号：CN105789012B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201410838070.4
申请日：2014-12-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 刘骁兵
摘要： 本发明公开了一种选择性地阻止至少部分带电粒子通过的屏蔽装置，包括：屏蔽板，其包括实体部以及多个竖直的贯通孔；磁场产生元件，嵌设于所述实体部内，用以在每一所述贯通孔中形成与该贯通孔方向垂直的磁场，以使所述等离子体的至少部分带电粒子在所述磁场中受洛伦兹力发生偏转而与所述贯通孔的侧壁碰撞。本发明还提供了一种具有上述屏蔽装置的等离子体处理装置。本发明能够减小高能离子到达基片表面对其造成损伤。
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公开(公告)号：CN106298418A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510253305.8
申请日：2015-05-18
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种电感耦合等离子体的处理系统，其包括射频电源系统，所述射频电源系统包括源射频电源系统和偏置射频电源系统，所述源射频电源系统包括源射频电源和源匹配网络，所述偏置射频电源系统包括偏置射频电源和偏置匹配网络，其中，所述源匹配网络为具有宽频带工作的固定匹配网络，所述偏置匹配网络为自动匹配网络。源匹配网络能够使得源射频功率源的阻抗与等离子体阻抗的快速匹配，偏置匹配网络使得在低偏置射频功率下能够始终得到非常低的反射功率。因此，该处理系统能够实现射频电源和等离子体之间的阻抗快速准确地调整。此外，本发明还提供了电感耦合等离子体处理方法。
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公开(公告)号：CN105789012A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410838070.4
申请日：2014-12-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 刘骁兵
摘要： 本发明公开了一种选择性地阻止至少部分带电粒子通过的屏蔽装置，包括：屏蔽板，其包括实体部以及多个竖直的贯通孔；磁场产生元件，嵌设于所述实体部内，用以在每一所述贯通孔中形成与该贯通孔方向垂直的磁场，以使所述等离子体的至少部分带电粒子在所述磁场中受洛伦兹力发生偏转而与所述贯通孔的侧壁碰撞。本发明还提供了一种具有上述屏蔽装置的等离子体处理装置。本发明能够减小高能离子到达基片表面对其造成损伤。
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公开(公告)号：CN104682917A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310613328.6
申请日：2013-11-27
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种用于等离子体反应器的阻抗匹配网络，包括至少一电感和一可变电容单元，所述可变电容单元包括至少一个可变真空电容，所述可变真空电容包括两个平行的电极板，所述两电极板间设置一环形压电陶瓷板，所述环形压电陶瓷板连接一驱动电源，所述环形压电陶瓷板的中空区域设置一弧形电极板。本发明所述的阻抗匹配网络中的可变真空电容利用压电陶瓷材料的逆压电效应，在对压电陶瓷施加交变驱动电压时，压电陶瓷能迅速沿着电压加载方向发生伸缩运动，使弧形电极板相对另一极板的距离发生变化，进而迅速改变可变真空电容的电容值，实现真空可变电容能在微秒量级内大小调节，满足等离子体阻抗迅速随射频功率源输出改变的需要。
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公开(公告)号：CN103972055A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310039528.5
申请日：2013-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31138
摘要： 本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。
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