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公开(公告)号：CN103165374B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201110407353.X
申请日：2011-12-08
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于等离子处理装置以及用于该等离子体处理装置的边缘环，其中，其中所述等离子处理装置包括：一个反应腔体，反应腔体围绕一个基座，基座上固定有待加工基片，基座与反应腔体顶壁之间的空间构成一个等离子加工区，其中所述边缘环安装在基座上靠近并环绕所述基片，所述边缘环上表面暴露到所述等离子加工区，其中所述边缘环包括一个本体部分和位于本体部分上表面的镀层部分，所述镀层为TiN材料。通过边缘环上镀含钛材料层可以减轻自由基对掩膜的破坏。
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公开(公告)号：CN106356318A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510418759.6
申请日：2015-07-16
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种气体分布扩散板，其包括：温度控制装置，所述温度控制装置用于控制所述气体分布扩散板的温度保持稳定。稳定的表面温度使得进入反应腔内的反应气体吸附在气体分布扩散板表面的几率以及该反应气体原子活性基与气体分布扩散板表面的复合速率保持稳定，所以，通过本发明提供的气体分布扩散板，能够保证参与晶圆处理的反应气体中的气体分子和原子自由基浓度基本稳定，从而保证晶圆处理工艺的稳定性，进而提高晶圆处理的质量和性能。稳定的表面的温度可以降低工艺处理中反应副产物在扩散板表面的沉积形成固体颗粒掉落处理晶圆表面的风险，提高产品良率。本发明还提供了一种等离子体处理器。
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公开(公告)号：CN103972055B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310039528.5
申请日：2013-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。
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公开(公告)号：CN103903949B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210580994.X
申请日：2012-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法，用于对放置在等离子体处理腔室中的晶片进行加工处理，所述等离子体处理腔室包括一上电极和一下电极，所述下电极连接一源射频功率源以及一偏置射频功率源，共同作用于所述等离子体处理腔室内以产生一射频电场，所述方法包括如下步骤：向所述等离子体处理腔室内通入反应气体；控制所述上电极和所述下电极对反应气体进行电离，产生等离子体；其中，所述源射频功率源的功率以及所述偏置射频功率源的功率中的至少一个大于零，所述射频电场在多个功率之间周期性交替变化，且所述射频电场的功率始终大于零。
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公开(公告)号：CN103811409B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210449657.7
申请日：2012-11-12
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种能够有效地增强低介电材料对TiN硬掩模刻蚀选择性的方法，将光刻胶剥离的操作划分为两个步骤，在第一步骤中利用O2/CO/CO2的等离子体进行刻蚀，直到接近TiN硬掩模的表面而使该表面不会暴露的位置，在第二步骤中则改用含氮（不含氧）的等离子体进行过刻蚀，将光刻胶等的剩余部分全部去除，使得TiN硬掩模的表面不会被氧化，保证了TiN硬掩模表面的氮含量。因此，在后续利用碳氟化合物的等离子体刻蚀形成沟道时，能够获得稳定的、相比原先使用O2/CO/CO2等离子体时相对较慢的刻蚀速率，从而提高低介电材料对TiN硬掩模的选择性，改善沟道刻蚀的效果。
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公开(公告)号：CN102403219B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201010280097.8
申请日：2010-09-14
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 一种铜制程等离子刻蚀方法，为解决刻蚀过程中铜原子被溅射出来暴露到反应腔引起刻蚀速率偏移的问题。在刻蚀含硅绝缘层直到露出下层的铜的过程中，本发明的刻蚀方法在刻蚀过程中保持原有刻蚀气体流量的同时提高含氧气体的流量。提高了氧气和刻蚀气体的混合比后，暴露在反应腔内的铜引起的刻蚀速率偏移问题被抑制，更易于获得长期、均一、稳定的加工效果。
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公开(公告)号：CN103199058A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310139357.3
申请日：2013-04-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 刘志强
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种通孔的刻蚀方法，包括：将从下到上依次层叠的含有铜金属层的半导体衬底、刻蚀停止层和层间介质层的表面涂覆光刻胶，并放入反应腔内；对光刻胶和中间层介质进行刻蚀；经终端探测系统探测到层间介质层刻蚀完毕，调节偏压功率为零，通入含氟气体和辅助气体的混合气体对刻蚀停止层进行刻蚀，直至将铜金属层表面的刻蚀停止层去除。本发明通过在刻蚀过程中采用大量的辅助气体和少量的含氟气体所形成混合气体作为刻蚀气体，含氟气体起到主要的刻蚀作用，辅助气体起到移除刻蚀的侧壁上的聚合物和稀释气体的目的，同时配合零偏压功率，这样可以有效避免刻蚀过程中刻蚀不均匀的现象，从而提高刻蚀速率和刻蚀工艺的效率。
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公开(公告)号：CN103050396A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210594434.X
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；以图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并以此对多层介质进行刻蚀至暴露出半导体基底表面。该方法采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，能够通过一次等离子体刻蚀达到刻蚀不同材料形成的多层介质的目的，而无需按照材料分层多步进行。同时，其对作为掩膜的光阻材料层具有较低的刻蚀速率。
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