发明公开
- 专利标题: 应变层的松弛
- 专利标题(英): Relaxation of strained layers
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申请号: CN201310012880.X申请日: 2009-08-06
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公开(公告)号: CN103123895A公开(公告)日: 2013-05-29
- 发明人: 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
- 申请人: 硅绝缘体技术有限公司
- 申请人地址: 法国伯涅尼
- 专利权人: 硅绝缘体技术有限公司
- 当前专利权人: 硅绝缘体技术有限公司
- 当前专利权人地址: 法国伯涅尼
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 王凯
- 优先权: 08290757.7 2008.08.06 EP; 09290577.7 2009.07.21 EP
- 分案原申请号: 2009801303085 2009.08.06
- 主分类号: H01L21/20
- IPC分类号: H01L21/20 ; H01L21/02 ; H01L21/324
摘要:
应变层的松弛。本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法,该方法包括以下步骤:在籽晶衬底上生长所述应变材料层;在所述应变材料层的一面上沉积第一低粘度层;通过所述第一低粘度层将所述应变材料层粘合到第一衬底,并且将所述应变材料层从所述籽晶衬底分离;在所述应变材料层的另一面上沉积第二低粘度层;在热处理步骤之前将第二衬底粘合到所述第二低粘度层,以形成夹层结构;使所述夹层结构经受热处理,使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流,由此至少部分地松弛所述应变材料层。
公开/授权文献
- CN103123895B 应变层的松弛 公开/授权日:2016-01-20
IPC分类: