发明授权
- 专利标题: 一种等离子体刻蚀室
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申请号: CN201110424785.1申请日: 2011-12-16
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公开(公告)号: CN103165384B公开(公告)日: 2016-01-06
- 发明人: 王兆祥 , 李俊良 , 刘志强 , 黄智林
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 王洁
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明公开了一种等离子体刻蚀室,通过将上电极外围的调节环设置为材质阻抗相差两倍以上的内圈环和外圈环,来调节等离子体刻蚀室内的射频耦合,从而影响基片边缘的刻蚀速率,调节基片刻蚀的均匀度,使得纵向刻蚀深孔和横向刻蚀沟槽能在同一刻蚀条件下完成,且保持良好的均匀性。
公开/授权文献
- CN103165384A 一种等离子体刻蚀室 公开/授权日:2013-06-19