本发明公开了一种CMOS FinFET器件以及用于制造CMOS FinFET器件的方法。示例性CMOS FinFET器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。CMOS FinFET器件还包括设置在所述衬底上的鳍式结构，该鳍式结构包括第一区域中的第一鳍状件和第二区域中的第二鳍状件。CMOS FinFET器件还包括第一鳍状件的第一部分和第一鳍状件的第二部分，该第一鳍状件的第一部分包含与衬底的材料相同的材料，该第一鳍状件的第二部分包括沉积在所述第一鳍状件的第一部分上的III-V半导体材料。CMOS FinFET器件还包括第二鳍状件的第一部分和第二鳍状件的第二部分，该第二鳍状件的第一部分包括与所述衬底的材料相同的材料，第二鳍状件的第二部分包括沉积在所述第二鳍状件的第一部分上的锗(Ge)材料。