Invention Publication
CN103334104A 一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法
- Patent Title (English): Laser cladding method for obtaining low-dilution-rate coat
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Application No.: CN201310288716.1Application Date: 2013-07-10
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Publication No.: CN103334104APublication Date: 2013-10-02
- Inventor: 林学春 , 高文焱 , 赵树森 , 王奕博 , 刘发兰 , 周春阳
- Applicant: 中国科学院半导体研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 任岩
- Main IPC: C23C24/10
- IPC: C23C24/10 ; B23K26/34

Abstract:
本发明公开了一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法,该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆,采用负离焦方式,激光束焦平面位于工件表面下方;利用高斯分布或近似高斯分布的激光束在传播路径上光束截面能量密度分布的特点,采用负离焦方式进行激光熔覆,激光熔覆过程中控制负离焦量在4mm~50mm范围内;最终获得稀释率极低,且与工件良好冶金结合的激光熔覆涂层。
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