发明公开
CN103334104A 一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法
- 专利标题（英）： Laser cladding method for obtaining low-dilution-rate coat
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申请号： CN201310288716.1申请日： 2013-07-10
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公开(公告)号： CN103334104A公开(公告)日： 2013-10-02
- 发明人: 林学春 , 高文焱 , 赵树森 , 王奕博 , 刘发兰 , 周春阳
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 主分类号： C23C24/10
- IPC分类号： C23C24/10 ; B23K26/34
摘要：
本发明公开了一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法，该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆，采用负离焦方式，激光束焦平面位于工件表面下方；利用高斯分布或近似高斯分布的激光束在传播路径上光束截面能量密度分布的特点，采用负离焦方式进行激光熔覆，激光熔覆过程中控制负离焦量在4mm～50mm范围内；最终获得稀释率极低，且与工件良好冶金结合的激光熔覆涂层。
IPC分类:
