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公开(公告)号：CN103753021B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410022690.0
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： B23K26/21
摘要： 一种紫铜与黄铜的激光焊接方法，包括如下步骤：步骤1：对待焊接的紫铜与黄铜进行清洗；步骤2：将待焊接的黄铜的焊接部位加工一焊口；步骤3：将待焊接的黄铜与紫铜在焊口处对接固定；步骤4：在黄铜的焊口处通过激光熔覆方法涂敷一层中间材料；步骤5：在中间材料的部位将紫铜黄铜与实施激光焊接；步骤6：自然冷却，完成制备。本发明具有黄铜与紫铜连接效率高、连接质量好的优点。
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公开(公告)号：CN103331523A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310287953.6
申请日：2013-07-10
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种采用固体激光系统制备夹持光纤用硅胶垫的方法，该方法采用包括水冷机、固体激光器、安装有控制程序的计算机、加工头、保护气体、硅胶垫、散热底座和工作台的固体激光系统，具体包括如下步骤：首先依次开启水冷机、固体激光器和计算机；在计算机的控制程序中输入夹持光纤设计参数；将硅胶垫放置于工作台上，并对准调焦；开启保护气体，运行计算机中的控制程序；夹持光纤硅胶垫制备完成。利用本发明公开的硅胶垫固体激光制备方法可方便快速的加工所设计的夹持光纤参数，制备好的硅胶垫可放置于尺寸配套的机械器件中，即实现了实际应用中光纤端头的夹持和固定。
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公开(公告)号：CN103695900A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310741336.9
申请日：2013-12-27
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种制备耐磨耐腐蚀杆件的方法。该方法包括：步骤A，采用不锈钢材料制作杆件基体；步骤B，配置涂层粉末；以及步骤C，采用激光熔覆工艺在杆件基体表层熔覆涂层粉末，制备耐磨耐腐蚀涂层。本发明通过采用激光熔覆的方法在杆件基体表面熔覆一层具备耐磨和耐腐蚀能力的涂层，满足了杆件的强度与耐腐蚀性双重需求，降低了成本。
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公开(公告)号：CN103409747A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310328587.4
申请日：2013-07-31
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种抑制Ni基WC硬质合金裂纹与气孔的方法，以及利用该方法和激光熔覆来制备Ni基WC硬质合金的方法。本发明在Ni基WC硬质合金中添加占合金质量百分比为5％～15％Cr元素或5％～15％Fe元素，或两种元素同时添加。WC的质量百分比为30％～60％。本发明的方法制备的涂层具有较高的硬度、耐磨性和耐蚀性，特别适用于激光熔覆耐磨、耐蚀性的工况零部件，实现零部件表面的强化和修复。
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公开(公告)号：CN103343341A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310308333.6
申请日：2013-07-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种激光熔覆用合金粉末及应用其的激光熔覆方法。该激光熔覆用合金粉末的重量百分比组成如下：C：0.63-0.66％；Ni；27.0～33.0％；Cr：14.35～14.65；B：2.46～2.65％；Si：2.46～2.74％；Mo：1.79～2.01％；Cu：1.35～1.65％；余量为Fe。本发明激光熔覆用合金粉末中含有较高含量的C、Si、B等元素，可以有效提高涂层硬度，获得的涂层硬度较高达HRC50以上。
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公开(公告)号：CN103753021A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410022690.0
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： B23K26/21
CPC分类号： B23K26/24 , B23K26/32 , B23K26/60 , B23K33/00 , B23K2103/08
摘要： 一种紫铜与黄铜的激光焊接方法，包括如下步骤：步骤1：对待焊接的紫铜与黄铜进行清洗；步骤2：将待焊接的黄铜的焊接部位加工一焊口；步骤3：将待焊接的黄铜与紫铜在焊口处对接固定；步骤4：在黄铜的焊口处通过激光熔覆方法涂敷一层中间材料；步骤5：在中间材料的部位将紫铜黄铜与实施激光焊接；步骤6：自然冷却，完成制备。本发明具有黄铜与紫铜连接效率高、连接质量好的优点。
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公开(公告)号：CN103334104A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310288716.1
申请日：2013-07-10
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法，该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆，采用负离焦方式，激光束焦平面位于工件表面下方；利用高斯分布或近似高斯分布的激光束在传播路径上光束截面能量密度分布的特点，采用负离焦方式进行激光熔覆，激光熔覆过程中控制负离焦量在4mm～50mm范围内；最终获得稀释率极低，且与工件良好冶金结合的激光熔覆涂层。
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公开(公告)号：CN103752818B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410027410.5
申请日：2014-01-21
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种用于激光熔覆的含有高铬含量的铁基复合粉末，该铁基复合粉末是由Cr3C2、Cr和Fe的化合物，以及Ni、Mo、Si和B元素构成。该铁基复合粉末中各元素的质量百分比为：Cr：38～40％；C：4.2～4.5％；Ni：3～5％；Mo：0.05～0.08％；Si：0.8～1.02％；B：1.2～1.78％；其余为Fe。该铁基复合粉末的粒度介于+140目～-325目之间。该粉末含有较高含量的C、Cr元素，可有效的提高涂层的硬度，可满足和适用于碳钢、不锈钢等铁基基材的激光熔覆工艺要求，其样品熔覆层无裂纹、无宏观气孔、成分分布均匀，硬度可达到HV0.21000，是基体硬度的5倍，且高Cr含量提高了铁基复合粉末熔覆层的耐腐蚀性，可用于常温和高温耐磨和耐腐蚀的工作条件。
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公开(公告)号：CN103752818A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410027410.5
申请日：2014-01-21
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种用于激光熔覆的含有高铬含量的铁基复合粉末，该铁基复合粉末是由Cr3C2、Cr和Fe的化合物，以及Ni、Mo、Si和B元素构成。该铁基复合粉末中各元素的质量百分比为：Cr：38～40％；C：4.2～4.5％；Ni：3～5％；Mo：0.05～0.08％；Si：0.8～1.02％；B：1.2～1.78％；其余为Fe。该铁基复合粉末的粒度介于+140目～-325目之间。该粉末含有较高含量的C、Cr元素，可有效的提高涂层的硬度，可满足和适用于碳钢、不锈钢等铁基基材的激光熔覆工艺要求，其样品熔覆层无裂纹、无宏观气孔、成分分布均匀，硬度可达到HV0.21000，是基体硬度的5倍，且高Cr含量提高了铁基复合粉末熔覆层的耐腐蚀性，可用于常温和高温耐磨和耐腐蚀的工作条件。
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公开(公告)号：CN103695901A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310741495.9
申请日：2013-12-27
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C24/10
摘要： 本发明提供了一种消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法。该方法通过激光功率密度与单道熔覆层宽高比关系，确定最优单道熔覆层宽高比；根据工艺参数与单道熔覆层宽高比关系式，可以计算确定所采用的工艺参数，以及搭接间距，以消除多道激光熔覆的搭接孔洞。本发明消除多道激光熔覆搭接孔洞方法不仅可以消除熔覆层中的搭接孔洞，还可以降低熔覆层开裂敏感性，提高熔覆层寿命。
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