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发明授权
CN103337518B 包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法 失效 - 权利终止

包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法
摘要：
本发明涉及包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区。所述半导体器件进一步包括沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电绝缘结构。所述半导体器件进一步包括在所述沟槽区中的栅电极以及具有不同于所述漂移区的导电类型的主体区。所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一者且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或置于其下方。
摘要（英）：

A semiconductor device includes a trench region extending into a drift zone of a semiconductor body from a surface. The semiconductor device further includes a dielectric structure extending along a lateral side of the trench region, wherein a part of the dielectric structure is a charged insulating structure. The semiconductor device further includes a gate electrode in the trench region and a body region of a conductivity type other than the conductivity type of the drift zone. The charged insulating structure adjoins each one of the drift zone, the body region and the dielectric structure and further adjoins or is arranged below a bottom side of a gate dielectric of the dielectric structure.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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