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公开(公告)号：CN118538691A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410181419.5
申请日：2024-02-18
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： 安内特·文策尔 , 拉尔斯·穆勒-梅什坎普 , 拉尔夫·鲁道夫 , 汤姆·彼得亨泽尔 , 比伊特·沃·埃伦沃尔 , 弗里多·埃勒尔 , 迪尔克·曼格尔
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 一种半导体器件包括：具有正面和电绝缘背面的硅层；第一沟槽，其从正面延伸穿过硅层至电绝缘背面并且横向隔离硅层的第一区域；第一沟槽中的导电材料；电介质材料，其将导电材料与硅层的硅材料隔开；以及多个硅插塞，其被电介质材料横向地包围并且在第一沟槽中将导电材料划分成多个隔开的段。还描述了用于制造半导体器件的方法和半导体器件的附加实施方式。
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公开(公告)号：CN109494156B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201811056173.X
申请日：2018-09-11
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 公开了用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管。一种用于制造MOSFET半导体器件的方法，包括提供晶片，晶片包括：半导体本体，该半导体本体包括第一侧、与第一侧相邻的第一半导体区、与第一侧相邻并且与第一半导体区形成第一pn结的第二半导体区、以及与第一侧相邻并且与第二半导体区形成第二pn结的第三半导体区；布置在第一侧上的第一电介质层；嵌入在第一电介质层中的栅极电极；和布置在第一电介质层上的第二电介质层。在栅极电极旁边形成通过第一电介质层和第二电介质层的沟槽。在沟槽的侧壁处形成电介质间隔壁。沟槽延伸到半导体本体中以形成接触沟槽。
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公开(公告)号：CN112768513B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110181336.2
申请日：2017-07-18
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： F.希尔勒
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： 一种功率半导体器件包括：半导体主体，被配置成在功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；源极区、沟道区和漂移体积，均被包括在半导体主体中，源极区被电连接至第一负载端子并且沟道区使源极区与漂移体积隔离；半导体区域，被包括在半导体主体中并且将漂移体积耦合至第二负载端子，在半导体区域和漂移体积之间建立第一过渡；控制电极，与半导体主体和负载端子中的每一个都绝缘并且被配置成控制沟道区中的负载电流的路径；以及沟槽，沿着延伸方向延伸到漂移体积中并且包括场电极。场电极的欧姆电阻大于控制电极的欧姆电阻。进一步地，场电极和第一过渡之间的距离占漂移体积在延伸方向上的总延伸的至少70%。
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公开(公告)号：CN111010026B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910949140.6
申请日：2019-10-08
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： 林淑芳
摘要： 公开了一种用于电源的数字控制器、电源及操作电源的方法。操作具有PFC级和耦接到PFC级的LLC转换器的电源的方法包括：通过实现具有交流输入电压测量结果作为输入的电流控制回路，使用电流模式控制器在电源的稳态模式下以CCM操作PFC级；通过实现没有交流输入电压测量结果作为输入的电压控制回路，使用电压模式控制器在电源的突发模式的至少一部分中以DCM操作PFC级；以及如果在突发模式下电压模式控制器的并且与平均电流模式控制下的功率成比例的输出落在预定范围之外，则修改电压控制回路。
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公开(公告)号：CN110798059B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910710866.4
申请日：2019-08-02
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
摘要： 本发明涉及用于GaN基启动电路的系统和方法。根据一个实施例，一种电路包括：第一氮化镓（GaN）晶体管，其包括耦合到漏极节点的漏极、耦合到源极节点的源极以及耦合到栅极节点的栅极；以及第二GaN晶体管，其包括耦合到漏极节点的漏极、耦合到第一电源节点的源极，第一电源节点被配置成耦合到第一电容器。
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公开(公告)号：CN118335709A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410041169.5
申请日：2024-01-10
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/495
摘要： 公开了使用竖直连接器的源极向下构造中的半导体封装。一种半导体封装(10；20；30)，包括：引线框架(11；21)，该引线框架(11；21)包括管芯载体(11.1)以及与管芯载体(11.1；21.1)连接的至少一条第一引线(11.2；21.2)；半导体晶体管管芯(12)，该半导体晶体管管芯(12)与管芯载体(11.1；21.1)连接并且包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面、设置在第一表面上的源极焊盘(12.1)、以及设置在第二表面上的漏极焊盘，其中，第一表面面向半导体封装(10；20；30)的底侧，并且第二表面面向封装(10；20；30)的顶侧；以及夹具(13)，其中，源极焊盘(12.1)通过至少一个电连接器(14)与夹具(13)连接。
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公开(公告)号：CN118335588A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410048817.X
申请日：2024-01-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司 , 牛津离子有限公司
摘要： 一种用于控制俘获离子的微制造装置包括介电材料或半导体材料的基板。结构化电极层设置在基板之上。结构化电极层形成离子阱的多个电极，所述离子阱被配置成在结构化电极层之上的空间中俘获离子。结构化电极层包括低声子态密度层，称为低PDOS层，低PDOS层由TiN或TiW或Ti或W组成，并且具有等于或大于100nm的厚度。
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公开(公告)号：CN110943630B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910863835.2
申请日：2019-09-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H02M7/217
摘要： 提出了控制器、功率转换器装置和AC/DC转换器放电控制方法。AC/DC转换器被配置成接收AC输入信号并将其转换为DC输出信号，并且包括的第一DC放电回路。控制器包括：第二DC放电回路，其具有用于切换第二DC放电回路接通和关断的可控开关元件，第二DC放电回路被配置成从第一DC放电回路接收DC放电电流；逻辑件，其被配置成重复执行以下步骤：从第二DC放电回路接收DC感测信号并基于该信号在预定测量时间段内的值确定AC输入信号丢失；响应于确定丢失，接通第二DC放电回路；在接通第二DC放电回路之后经过预定放电时间段后，确定DC感测信号的值，如果该值未减小则关断第二DC放电回路，或者如果该值已减小则将第二DC放电回路保持接通状态直到达到预定标准。
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公开(公告)号：CN118300416A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410002549.8
申请日：2024-01-02
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： 凯文·托马斯马涅斯 , 朱安·米格尔·马丁内斯桑切斯
摘要： 公开了一种用于功率转换的装置和方法。装置可以被配置成包括第一桥电路，其可操作成接收由输入电压源提供的输入电压。装置中的电感器也接收输入电压。装置可以被配置成包括第二桥电路。电感器提供输入电压源至第二桥电路的耦接。第二桥电路产生输出电压以向负载供电。
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公开(公告)号：CN118282210A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211727112.8
申请日：2022-12-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： 许逵炜
摘要： 公开了一种用于电力转换的电路、风扇系统和变压器。该用于电力转换的电路包括：电压输入端，包括正输入端和负输入端；变压器，其初级侧的第一端被耦接至正输入端并且第二端被耦接至负输入端；开关，其第一端被耦接至负输入端并且第二端被耦接至初级侧的第二端；第一输出端；和次级侧整流模块，其被耦接在变压器的次级侧与第一输出端之间，并且在第一输出端输出直流电和交流电叠加的输出信号。
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