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公开(公告)号：CN104183642B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201310287628.X
申请日：2013-05-22
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及用于垂直MOSFET的终端布置。器件和技术的代表性实施提供了针对晶体管结构的终端布置。晶体管结构的外围可以包括具有布置为改进晶体管在击穿或接近击穿时的性能的特征的凹槽区域。
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公开(公告)号：CN104752492B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201410831980.X
申请日：2014-12-26
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/2236 , H01L21/225 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L21/26586 , H01L21/30604 , H01L21/823418 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66696 , H01L29/66704 , H01L29/7825
摘要： 本公开涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件，该半导体器件通过形成以下项而形成：在具有主表面的半导体衬底中的晶体管；源极和漏极区域；和在源极区域和漏极区域之间的沟道区域和漂移区。源极区域和漏极区域被沿着平行于主表面的第一方向布置。栅极沟槽和栅极电极形成于栅极沟槽中。在主表面中形成的副沟槽在与第一方向相交的第二方向上延伸。使用经由副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成源极区域。
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公开(公告)号：CN104752492A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410831980.X
申请日：2014-12-26
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/2236 , H01L21/225 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L21/26586 , H01L21/30604 , H01L21/823418 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66696 , H01L29/66704 , H01L29/7825
摘要： 本公开涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件，该半导体器件通过形成以下项而形成：在具有主表面的半导体衬底中的晶体管；源极和漏极区域；和在源极区域和漏极区域之间的沟道区域和漂移区。源极区域和漏极区域被沿着平行于主表面的第一方向布置。栅极沟槽和栅极电极形成于栅极沟槽中。在主表面中形成的副沟槽在与第一方向相交的第二方向上延伸。使用经由副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成源极区域。
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公开(公告)号：CN102130157B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010625076.5
申请日：2010-12-17
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/778 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/4871 , H01L21/76879 , H01L29/0626 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及具有金属载体的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括金属载体基板。在该载体基板以上形成Alx1Gay1Inz1N(x1+y1+z1＝1，x1≥0，y1≥0，z1≥0)的第一半导体层。Alx2Gay2Inz2N(x2+y2+z2＝1，x2＞x1，y2≥0，z2≥0)的第二半导体层布置在该第一半导体层上并且栅极区域布置在该第二半导体层上。该半导体器件进一步包括源极区域和漏极区域，其中这些区域中的一个电耦合至金属载体基板并且包括延伸穿过第一半导体层的导电区域。
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公开(公告)号：CN103337518A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310159279.3
申请日：2013-03-15
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/401 , H01L29/407 , H01L29/408 , H01L29/42368 , H01L29/512 , H01L29/66734
摘要： 本发明涉及包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区。所述半导体器件进一步包括沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电绝缘结构。所述半导体器件进一步包括在所述沟槽区中的栅电极以及具有不同于所述漂移区的导电类型的导电类型的主体区。所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一者且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或置于其下方。
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公开(公告)号：CN102130157A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010625076.5
申请日：2010-12-17
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/778 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/4871 , H01L21/76879 , H01L29/0626 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及具有金属载体的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括金属载体基板。在该载体基板以上形成Alx1Gay1Inz1N(x1+y1+z1＝1，x1≥0，y1≥0，z1≥0)的第一半导体层。Alx2Gay2Inz2N(x2+y2+z2＝1，x2＞x1，y2≥0，z2≥0)的第二半导体层布置在该第一半导体层上并且栅极区域布置在该第二半导体层上。该半导体器件进一步包括源极区域和漏极区域，其中这些区域中的一个电耦合至金属载体基板并且包括延伸穿过第一半导体层的导电区域。
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公开(公告)号：CN103337518B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310159279.3
申请日：2013-03-15
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/401 , H01L29/407 , H01L29/408 , H01L29/42368 , H01L29/512 , H01L29/66734
摘要： 本发明涉及包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区。所述半导体器件进一步包括沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电绝缘结构。所述半导体器件进一步包括在所述沟槽区中的栅电极以及具有不同于所述漂移区的导电类型的主体区。所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一者且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或置于其下方。
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公开(公告)号：CN104183642A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310287628.X
申请日：2013-05-22
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0634 , H01L29/66477
摘要： 本发明涉及用于垂直MOSFET的终端布置。器件和技术的代表性实施提供了针对晶体管结构的终端布置。晶体管结构的外围可以包括具有布置为改进晶体管在击穿或接近击穿时的性能的特征的凹槽区域。
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