发明公开
- 专利标题: 功率半导体元件及其边缘终端结构
- 专利标题(英): Power semiconductor device and edge terminal structure thereof
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申请号: CN201210284342.1申请日: 2012-08-10
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公开(公告)号: CN103426910A公开(公告)日: 2013-12-04
- 发明人: 刘莒光
- 申请人: 杰力科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元街32号2楼之1
- 专利权人: 杰力科技股份有限公司
- 当前专利权人: 杰力科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元街32号2楼之1
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明
- 优先权: 101209918 2012.05.24 TW; 101118584 2012.05.24 TW
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/40 ; H01L29/872 ; H01L29/739 ; H01L29/78
摘要:
本发明提供一种沟槽式功率半导体元件及边缘终端结构,该边缘终端结构包括一基板、分别位在基板的表面和背面的第一与第二电极、一第一场板与一第二场板。沟槽式功率半导体元件包括一有源区与一边缘终端区,且在有源区旁的边缘终端区的基板表面具有一沟槽。第一场板则是设置于上述沟槽的侧壁并往其尾部延伸,且第一场板至少包括一L形电板、位于L形电板底下的一栅极绝缘层以及L形电板上的第一电极。第二场板至少包括一绝缘层与其上方的第一电极,其中绝缘层是覆盖沟槽的尾部并至少延伸覆盖L形电板的尾端。
公开/授权文献
- CN103426910B 功率半导体元件及其边缘终端结构 公开/授权日:2016-01-20