Invention Publication
CN103456686A 半导体装置的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置的制造方法
- Patent Title (English): Method of manufacturing semiconductor device
-
Application No.: CN201310052224.2Application Date: 2008-02-02
-
Publication No.: CN103456686APublication Date: 2013-12-18
- Inventor: 神保安弘 , 伊佐敏行 , 本田达也
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 屠长存
- Priority: 2007-023747 2007.02.02 JP
- The original application number of the division: 2008100094499 2008.02.02
- Main IPC: H01L21/77
- IPC: H01L21/77 ; H01L27/12 ; H01L29/786 ; H01L27/32

Abstract:
本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备,在玻璃衬底上形成钼膜,在其上形成氧化钼膜,在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜,并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件,然后将其元件从玻璃衬底剥离。
Public/Granted literature
- CN103456686B 半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2016-09-14
Information query
IPC分类: