公开(公告)号：CN117730625A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280052825.0

申请日：2022-07-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  菅谷健太郎 ,  樋浦吉和 ,  藤江贵博 ,  神保安弘

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括依次具有像素电极、发光层、功能层、公共层及公共电极的多个发光器件，且包括位于彼此相邻的发光层的侧面之间的绝缘层。发光层及功能层在各发光器件中设置为岛状，多个发光器件公用公共层。公共层及公共电极以覆盖该绝缘层的方式设置。在剖视时，该绝缘层的端部具有锥角大于0度且小于90度的锥形形状。多个发光器件各自包含发射蓝色光的第一发光材料和发射比蓝色长的波长的光的第二发光材料。以与多个发光器件的每一个重叠的方式设置有着色层。

公开(公告)号：CN116710987A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180088514.5

申请日：2021-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  柳泽悠一

IPC: G09F9/00

Abstract: 提供一种能够显示高质量图像的显示装置。显示装置包括第一发光元件、第二发光元件及空隙。第一发光元件包括第一下部电极、第一下部电极上的第一发光层及第一发光层上的第一上部电极，第二发光元件包括第二下部电极、第二下部电极上的第二发光层及第二发光层上的第二上部电极。第一发光元件与第二发光元件相邻。空隙设置在第一上部电极及第一发光层与第二上部电极及第二发光层之间。第一上部电极具有比第一发光层的侧面突出的区域，第二上部电极具有比第二发光层的侧面突出的区域。

公开(公告)号：CN113924657A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080041969.7

申请日：2020-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  驹形大树 ,  神保安弘 ,  奥野直树 ,  小松良宽 ,  安藤元晴 ,  森若智昭 ,  森谷幸司 ,  石川纯

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。

公开(公告)号：CN109937443A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201780069478.1

申请日：2017-11-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  横山浩平 ,  永田贵章 ,  作石达哉 ,  山下晃央 ,  神保安弘 ,  宍户英明 ,  石谷哲二

IPC: G09F9/46 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/36 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

Abstract: 提供一种能够切换通常显示与透视显示的显示装置。提高透视显示时的可见度。液晶元件与发光元件重叠。与液晶元件重叠的发光元件及晶体管等使可见光透过。在液晶元件遮蔽外光时，用发光元件显示图像。在液晶元件使外光透过时，用发光元件显示的图像重叠于透过液晶元件的透过图像上。

公开(公告)号：CN104425320B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201410436493.3

申请日：2014-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  横山浩平 ,  大野正胜 ,  井户尻悟 ,  池田寿雄 ,  神保安弘 ,  安达广树 ,  平形吉晴 ,  江口晋吾 ,  中村太纪

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明的一个方式的目的是：提供一种剥离起点形成装置，借助于剥离起点能够剥离加工构件的表层以分离剩余部；提供一种具备被剥离了表层的加工构件的剩余部及支撑体的叠层体的制造装置。本发明的一个方式包括：支撑加工构件的载物台；与载物台相对的切削工具；支撑切削工具的头部；支撑头部的臂部；以及将切削工具相对载物台移动的移动机构。

公开(公告)号：CN108780617A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014086.5

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  横山浩平 ,  玉造祐树 ,  后藤尚人 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  中田昌孝 ,  千田章裕 ,  千田尚之

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3258 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338

Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。

公开(公告)号：CN105493631B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201480047352.0

申请日：2014-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 熊仓佳代 ,  青山智哉 ,  千田章裕 ,  横山浩平 ,  大野正胜 ,  井户尻悟 ,  池田寿雄 ,  安达広树 ,  平形吉晴 ,  江口晋吾 ,  神保安弘

IPC: H05B33/10 ,  B65G49/06 ,  H01L21/677 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: B32B43/006 ,  B26D1/04 ,  B26D2001/006 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/00 ,  G02B6/00 ,  H01L21/67092 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/1933 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1961 ,  Y10T156/1967

Abstract: 提供一种叠层体的加工装置。该叠层体包括其端部之间有间隙且彼此贴合在一起的两个衬底。该加工装置包括固定叠层体的一部分的固定机构、固定叠层体的一个衬底的外边缘部的多个吸附器具、以及插在叠层体的角部的楔形器具。多个吸附器具包括可以使各吸附器具沿垂直方向及水平方向独立地移动的机构。该加工装置还包括检测叠层体端部的间隙位置的传感器。楔形器具的尖端沿着形成在叠层体的端面的倒角部分移动。该楔形器具插在叠层体的端部的间隙中。

公开(公告)号：CN102386072B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201110228409.5

申请日：2011-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。本发明的一个方式如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN102077331B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200980124705.1

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平 ,  广桥拓也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。

公开(公告)号：CN101369541B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200810210498.9

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的目的在于提供一种质量良好的微晶半导体膜的制造方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜，然后，在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜。再者，接触微晶半导体膜上地对缓冲层进行层叠。另外，在第一成膜条件之前，进行氩等离子体处理等的稀有气体等离子体处理及氢等离子体处理，以去除衬底上的吸附水。