- 专利标题： 金刚石制造方法和DC等离子体增强CVD装置
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申请号： CN201310337976.3申请日： 2013-08-06
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公开(公告)号： CN103572248B公开(公告)日： 2017-09-01
- 发明人: 野口仁
- 申请人： 信越化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人： 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 金晓
- 优先权： 2012-174619 20120807 JP
- 主分类号： C23C16/27
- IPC分类号： C23C16/27 ; C23C16/517
摘要：
通过在用于固定衬底（S）的平台电极（12）与电压施加电极（13）之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底（S）上从含碳气体与氢气的气体混合物中生长金刚石。在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在平台电极与电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。以稳定的生长速率制造优质的金刚石。
公开/授权文献
- CN103572248A 金刚石制造方法和DC等离子体增强CVD装置 公开/授权日：2014-02-12
IPC分类:
