发明授权
- 专利标题: 利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法
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申请号: CN201210281798.2申请日: 2012-08-09
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公开(公告)号: CN103575223B公开(公告)日: 2016-09-21
- 发明人: 李国光 , 王林梓 , 刘涛 , 艾迪格·基尼欧 , 马铁中
- 申请人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区知春路27号量子芯座402室
- 专利权人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 当前专利权人: 昂坤视觉(北京)科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区知春路27号量子芯座402室
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 刘丽君
- 主分类号: G01B11/06
- IPC分类号: G01B11/06 ; G01N21/31
摘要:
公开利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法,包括通过垂直入射测量包含增透膜的硅基太阳能电池的相对反射率R’,测量反射率R’时参考样品的已知的绝对反射率Rr,模拟计算包含增透膜的平滑的硅基薄膜的绝对反射率R,反射率中引入粗糙度系数α,α=M+Nλ。将所述R*α/Rr与所述反射率R’比较,模型中设定粗糙度系数中M及/或N、增透膜厚度及增透膜材料的光学常数或光学常数物理模型的系数为变量,通过数值回归的曲线拟合过程,计算得出膜厚与材料光学常数。本发明提高了反射率测量方法测量硅基太阳能样品薄膜特征的准确度,拓展了光谱反射仪的应用领域,使测量硬件结构更加简单,成本更低。
公开/授权文献
- CN103575223A 利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法 公开/授权日:2014-02-12