-
公开(公告)号：CN104697639B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201310655598.3
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法，属于半导体制造技术领域。该装置包括MOCVD反应腔及光学探测器，MOCVD反应腔包括外延片，MOCVD反应腔的顶部设有探测窗口，光学探测器通过探测窗口向外延片发出波长分别为λ1和λ2的探测光束，光束外延片反射后形成的反射光束由光学探测部分探测。该方法根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点；将点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法及装置实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
-
公开(公告)号：CN104697636B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310654540.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上与实际热辐射比值对应的点，并将该点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
-
公开(公告)号：CN105091787B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410189094.1
申请日：2014-05-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/245
摘要： 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，N束激光沿直线排布，其中，N为3以上的自然数，N个PSD与N束激光一一对应，N束激光首先射向第一分光元件，经过第一分光元件后形成入射光，入射光入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入射点，入射光被基底反射后形成N束第一种反射光束，各第一种反射光束经过第一分光元件透射后，入射到与N束激光相对应的PSD上，形成N个光斑。该装置能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。
-
公开(公告)号：CN104697973B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310648303.X
申请日：2013-12-04
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明公开了一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法在石墨盘旋转的情况下，通过控制采集数据的时间间隔及每个数据采集周期对应的起始外延片，可以使采集的数据遍历布设在石墨盘外周上的所有外延片，即得到布设在石墨盘外周上的所有外延片拉曼散射光谱数据，从而，本发明提供的外延片拉曼散射光谱数据生成方法能够连续、自动生成布设在石墨盘外周上的外延片拉曼散射光谱数据。
-
-
公开(公告)号：CN103512864B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210213835.6
申请日：2012-06-25
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本申请提供一种利用平行光测量衬底反射率和透射率的光学量测系统，包括光源、第一分光元件、准直单元及探测单元；所述准直单元，将光源产生的光会聚成平行光；所述第一分光元件使通过所述准直单元的平行光的一部分垂直入射至样品上，以及使样品反射的光的一部分入射至所述探测单元；所述探测单元，测量样品的透射光谱及反射光谱。本发明提供的光学量测系统，采用无色差的平行光垂直入射，避免了会聚光束测量时，入射角存在一定分布范围造成的误差，以及测量较厚衬底时，斜入射光束在厚衬底内多次反射容易引起的系统误差，并解决了垂直入射时入射角度不易校准的问题，可在宽光谱范围内实现厚衬底的透射率和反射率测量，提高了测量精度。
-
公开(公告)号：CN104697637A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655561.0
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生长反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到薄膜生长反应腔内薄膜的温度。该方法由于双波长测温结构所依附的薄膜生长反应腔经过校准，计算得到的薄膜的温度值更接近真值。
-
公开(公告)号：CN104697636A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310654540.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上与实际热辐射比值对应的点，并将该点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
-
公开(公告)号：CN103575230A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210281504.6
申请日：2012-08-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明涉及光学测量领域，特别涉及一种光学无色差聚焦系统。包括：第一曲面反射元件、第二曲面反射元件及第三曲面反射元件；所述第一曲面反射元件，接收由点光源发射出的光束，并将该光束变成平行光束；第二曲面反射元件，接收由第一曲面反射元件反射的所述平行光束；所述第三曲面反射元件，接收由所述第二曲面反射元件反射的平行光束，将其变成会聚光束并垂直入射至待测样品的表面；所述第一曲面反射元件、第二曲面反射元件及第三曲面反射元件构成交叉切尔尼-特纳结构。本发明提供的光学无色差聚焦系统结构简单、价格低廉，光学测量时不会产生色差，并且可合理地改变入射光的传播方向，使其聚焦在样品表面，同时获得较为合适的工作距离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
53 条记录 (耗时 0.036 秒)