芯片定位方法、系统、计算机及可读存储介质

    公开(公告)号:CN114972308B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202210698849.5

    申请日:2022-06-20

    IPC分类号: G06T7/00 G06T7/73

    摘要: 本发明提供了一种芯片定位方法、系统、计算机及可读存储介质,该方法包括通过镜头对当前晶圆进行局部扫描,以获取到芯片的局部定位坐标以及芯片之间的位置数据;计算出芯片对应的参考间距值,并根据局部定位坐标以及参考间距值计算出当前镜头对应的镜头参数;获取到芯片的整体定位坐标,并根据镜头内参以及镜头畸变参数消除整体定位坐标中的畸变坐标,以生成线性定位坐标;对线性定位坐标进行标准化处理,以生成理论定位坐标,并将理论定位坐标中的理论芯片坐标值替换掉整体定位坐标中的实际芯片坐标值。通过上述方式在计算出镜头参数之后,就可以反复扫描同一产品的不同晶圆,生成的检测结果准确、稳定,消除了定位偏差。

    用于晶圆成像的扫描方法、装置、存储介质及电子设备

    公开(公告)号:CN118501156A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410851950.9

    申请日:2024-06-28

    IPC分类号: G01N21/88 H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种用于晶圆成像的扫描方法、装置、存储介质及电子设备,用于控制集成有图像采集装置的运动平台对晶圆进行螺旋扫描成像,该方法包括:获取在晶圆上的扫描半径、扫描线速度、以及螺旋的螺距,并根据扫描半径、扫描线速度以及螺旋的螺距计算运动平台的直线轴和旋转轴的初始点位和初始速度;按照直线轴和旋转轴的初始点位和速度控制运动平台开始对晶圆进行扫描,并按照螺旋点位分辨率实时计算提取直线轴和旋转轴的位置和速度,调用预设运动控制算法进行轨迹曲线动态捏合得到轨迹曲线;根据轨迹曲线控制运动平台对晶圆从外向内进行螺旋扫描成像。本发明解决了现有技术中在进行晶圆扫描成像时效率低的问题。

    一种晶圆形貌测量方法、装置、可读存储介质及电子设备

    公开(公告)号:CN117664022A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311484870.6

    申请日:2023-11-09

    IPC分类号: G01B11/24

    摘要: 本发明公开了一种晶圆形貌测量方法、装置、可读存储介质及电子设备,应用于晶圆形貌测量系统当中,该系统包括用于放置晶圆的测量运动平台、以及架设于测量运动平台附近的寻边器、形貌测量探头、定位相机,该方法包括:利用寻边器对晶圆进行粗定位寻找,以将晶圆放入测量运动平台上;控制测量运动平台对晶圆进行移动,以使晶圆的圆心移动到定位相机的中心,并采集用于定位的模板图像;计算出各条扫描线的运动点和采点在测量运动平台坐标系中的坐标,控制测量运动平台根据扫描轨迹和采样控制参数对晶圆采样得到各条扫描线上的面型数据,并根据面型数据确定晶圆的形貌数据。本发明解决了现有技术中在进行晶圆形貌测量时准确性低的问题。

    一种光学检测设备及系统

    公开(公告)号:CN115642103B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211652714.1

    申请日:2022-12-22

    IPC分类号: H01L21/66 H01L21/67 B07C5/342

    摘要: 本发明提供一种光学检测设备及系统,涉及晶圆检测技术领域,光学检测设备包括主传输机构、及设于主传输机构上方的检测机构,检测机构包括多个检测单元,相邻两检测单元沿主传输机构的传输方向间隔设置、沿主传输机构的垂直方向交叉设置;检测单元包括倾斜设置的光学检测组件,相邻两光学检测组件的横向检测范围存在交集、以使检测阵列的横向检测范围能够完全覆盖设于主传输机构上的晶圆;当晶圆经过光学检测组件时,光学检测组件扫描晶圆以完成晶圆检测。上述光学检测设备及系统,通过设置多个检测单元组成检测阵列及将检测单元倾斜设置,提高了检测质量和精度,解决了现有技术中的晶圆的检测容易出现检测不充分及检测精度不足的技术问题。

    图像分类方法、装置、计算机可读存储介质及计算机设备

    公开(公告)号:CN115240011A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210963243.X

    申请日:2022-08-11

    发明人: 郭萌 冯希 马铁中

    摘要: 一种图像分类方法、装置、计算机可读存储介质及计算机设备,该方法包括:将预处理后的训练样本图像输入至深度学习分类模型中进行图像分类处理;将深度学习分类模型输出的图像类别的预测概率以及训练样本图像标注的真值输入到目标损失函数中进行损失值计算;当计算出的损失值大于预设值时,根据损失值对所述深度学习分类模型的参数进行优化,并返回将处理后的训练样本图像输入至深度学习分类模型中进行图像分类处理的步骤;当计算出的损失值小于或等于预设值时,将待测图像输入至所述深度学习分类模型中,得到待测图像的图像分类结果。本发明中的目标损失函数无需复杂系数搜索,简单的系数已经达到数据集准确率的提升。

    一种用于芯片检测的预处理系统
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115213113A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210964583.4

    申请日:2022-08-11

    摘要: 本发明公开了一种用于芯片检测的预处理系统,装有芯片的料盘通过第一检测机构进行拍摄预检,得到料盘上检测区内芯片的分布情况,并控制第二检测机构避开该空缺位,提高检测效率,第二检测组件快速的移动到每个芯片上方,逐个对芯片进行拍摄,并进行芯片顶面状态的初步检测,以筛选芯片顶面的缺陷,通过芯片抓取组件将芯片抓取到第一背检组件上,对芯片背部进行拍摄,在不需要进行芯片翻转的前提下,进行芯片背面状态的初步检测,最后芯片被装回料盘中输送到后续检测位进行进一步检测,通过预处理提高检测效率,预先筛选掉缺陷明显的芯片,减小后续检测位的检测负荷,提高整体的检测效率。

    一种晶圆检测检测方法和装置

    公开(公告)号:CN115184376A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210910674.X

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: G01N21/95

    摘要: 本申请公开了一种晶圆检测方法和装置,检测方法包括以下步骤:正面检测步骤,控制第一光源组、第二光源组分别选择性发光生成第一组合光,控制第一镜头组获取在第一组合光照射下的待检测晶圆的正面检测图像;背面检测步骤,控制第二光源组、第二光源组分别选择性发光生成第二组合光,控制第二镜头组获取在第二组合光照射下的待检测晶圆的背面检测图像;表面缺陷获取步骤,根据正面检测图像和背面检测图像获取待检测晶圆的表面缺陷;在正面检测步骤中,第二光源组为背光源;在背面检测步骤中,第一光源组为背光源。第一光源组和第二光源组配合使用,无需对第一检测模块和第二检测模块设置背光源,提高了检测效率,减少了配件数量,节省了检测成本。

    一种三维缺陷检测方法及检测设备

    公开(公告)号:CN115165920A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202211081630.7

    申请日:2022-09-06

    IPC分类号: G01N21/95 G06V10/82

    摘要: 本发明提供了一种三维缺陷检测方法及检测设备,该方法包括将具有镜面结构的待检测物放置于载台上,并将待检测物的镜面侧朝向网格板具有网格纹的一侧设置;启用照明组件照射网格板具有网格纹的一侧,以使待检测物的镜面侧映照出网格纹的图像;通过拍摄元件获取待检测物的镜面侧的检测图像;获取检测图像中的目标检测区域,并基于预设神经网络模型判断目标检测区域中出现的网格纹的图像是否发生扭曲;若是,则判定当前待检测物的镜面侧具有三维缺陷。通过上述方式在只需要使用网格板、照明组件以及拍摄元件的前提下就能够简单、快速的完成对镜面结构的三维缺陷检测,从而大幅提升了检测效率。

    一种光学检测设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114778556A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210542304.5

    申请日:2022-05-18

    IPC分类号: G01N21/88 G01N21/01 H01L21/66

    摘要: 本发明提供了一种光学检测设备,用于检测晶圆表面缺陷;所述光学检测设备包括支架组件、载台、第一主检镜头、第二主检镜头、载台驱动单元、成像分析单元,第一主检镜头的摄像端朝向第二主检镜头的摄像端,且第一主检镜头的摄像端与第二主检镜头的摄像端沿垂直于载台的支撑面的方向设置,载台的支撑面具有透光结构;当载台驱动单元驱动载台沿其支撑面所在平面的x方向和/或y方向移动,通过承载待检测晶圆的载台在相对应设置的第一主检镜头、第二主检镜头之间,以实现对待检测晶圆的正反两面同时进行检测,且保证对待检测晶圆的正面检测结果和背面检测结果完全对应,达到简化检测流程,提高晶圆的缺陷检出率及检测效率的目的。

    一种在线实时检测外延片生长的方法

    公开(公告)号:CN104697972B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201310646667.4

    申请日:2013-12-04

    IPC分类号: G01N21/65 H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法,属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据,实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息,并实时反馈各外延片的波长偏差,从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低,应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。