- 专利标题: 一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法
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申请号: CN201210249772.X申请日: 2012-07-18
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公开(公告)号: CN103578904B公开(公告)日: 2016-05-25
- 发明人: 陶铮 , 松尾裕史 , 曹雪操
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 王洁
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; H01L21/67
摘要:
一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法,所述等离子处理装置至少包括两个腔室,每个腔室在较低位置处设有一个阴极,在所述阴极上连接有射频功率源,基片放置于腔室上进行制程,其中,所述方法包括如下步骤:(a),通入第一制程气体至多个腔室,同时施加第一频率于多个腔室,以激发等离子体分别对基片执行第一制程;(c),施加第二频率于先完成制程的腔室,以维持等离子体于刚好不熄灭状态;(e),通入第二制程气体至多个腔室,同时施加第三频率于多个腔室,以激发等离子体分别对基片执行第二制程。本发明能够显著改善等离子处理腔室的颗粒污染,并且提高了制程的稳定性和效率。
公开/授权文献
- CN103578904A 一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法 公开/授权日:2014-02-12